AI存储需求再加码：英伟达CMX明年或消耗超1亿TB NAND，三星已开始供货
英伟达CMX驱动NAND需求爆发，明年预计超1亿TB。三星已量产V10并供货，同时将60%V9产能用于CMX。三星与英伟达合作深化，李在镕与黄仁勋将会面，讨论HBM、NAND及数据中心建设。供给集中或推高存储价格。
英伟达AI服务器对NAND闪存的需求正进入爆发式增长阶段，而三星电子凭借其庞大的产能储备，迅速将这一趋势转化为战略机遇。
据首尔经济日报7月20日的报道，三星电子已启动第十代V型NAND（V10）的量产，并向英伟达正式供货。与此同时，三星将旗下V-NAND总产能的约60%配置于第九代产品（V9）生产线，目标直指英伟达即将推出的新一代存储设备——“上下文内存存储”（Context Memory Storage，CMX）。业界普遍预计，CMX所需的NAND容量将从今年的3500万TB激增至明年的逾1亿TB。
这个量级的市场需求，对整个NAND供给格局的影响是深远的。英伟达对NAND的大规模锁定，意味着其他企业和消费者能获得的存储芯片供应将大幅收窄，市场价格面临的上行压力，也不过是时间问题。
与此同时，三星电子董事长李在镕预计近期将在旧金山与英伟达首席执行官黄仁勋会面。双方将就HBM及下一代NAND产品的供应，以及在韩国国内建设数据中心等合作事宜，展开深入磋商。
CMX驱动NAND需求跃升，英伟达锁定三星产能
英伟达CMX的诞生，源于AI推理过程中“键值缓存”（Key-Value Cache，KV Cache）数据量的急剧膨胀。过去，GPU服务器可以在内部处理KV缓存数据，但如今数据规模持续扩大，搭载数千TB级固态硬盘（SSD）的独立外置存储设备，已成为AI服务器的必要配置。
可以想象这样一幅画面：据wccftech报道，英伟达CMX单台设备搭载576块SSD，总存储容量高达9600TB。业界估计，CMX所需NAND容量今年约为3500万TB，明年将突破1亿TB。半导体行业独立分析师@jukan05在X平台发文指出，1亿TB的规模，大致相当于在NAND市场中新增一个苹果公司体量的需求来源，其对供给端的冲击不容低估。
三星电子目前月产V-NAND晶圆的能力已超过10万张。据报道，英伟达已在CMX出货前夕向三星提出扩大NAND产能的要求，三星方面也在积极响应。三星今年NAND总产量预计约达2.5亿TB，公司正凭借这一全球领先的产能规模，建立其作为英伟达CMX核心供应商的地位。
V9稳产、V10量产、V11试产，三星三代并进
在产品线布局上，三星正同步推进三代V-NAND产品的生产进程。
先说V9。三星已将V9的产能占比提升至V-NAND总产能的约60%，良率也已稳定在80%以上，进入了量产成熟阶段。回想一年前，V8还占据着V-NAND产量的相当比重，如今其占比已降至40%以下。产线切换速度之快，反映出三星对AI服务器需求的快速响应能力。此外，三星平泽第四工厂（P4）的NAND专用洁净室仍有逾半空间尚未投产，为后续扩线提供了充足余地。
再看V10。三星已于今年上半年正式启动V10量产，目前产量占V-NAND总产量的比例不足5%，尚处于爬坡阶段。V10采用约400层堆叠架构，存储密度较V9的286层提升逾50%，可以在相同CMX模组内装配更高容量的SSD。值得关注的是，V10将首次大规模商用钼材料替代传统钨配线，可将配线厚度缩减30%至40%。三星此前在V9中已有小规模应用，这次是正式铺开。
最后是V11。三星已于今年初启动V11试产，目标堆叠层数为400层至500层，较V10再提升约100层。三星计划在下半年将试产规模扩大一倍，以积累足够的良率数据，加快推进量产体系建设。
供给集中效应显现，消费级市场承压
三星与英伟达NAND同盟的深化，在提振三星业绩预期的同时，也加剧了整个存储行业的供给分化。
据相关报道，三星2026年的利润预计将超过过去40年累计盈利总和，这很大程度上得益于AI服务器存储需求的结构性爆发。然而，硬币的另一面是：当三星将大比例产能锁定于英伟达等大型科技客户后，面向其他企业及消费者的NAND供给将受到明显挤压，存储价格上行风险随之上升。
此前，AI热潮已率先引发DRAM短缺并推动价格大幅上涨。如今，NAND市场正面临类似的供给收紧逻辑。随着英伟达CMX出货规模持续扩大，这一压力预计将进一步加剧。
从长远来看，V11 NAND的加速研发或许能为消费级市场提供一定缓解空间——500层堆叠技术理论上可以更低成本大规模生产高容量消费级SSD，但前提是三星愿意为此分配产能。就目前的产能配置方向而言，这一前景尚难乐观。
李在镕与黄仁勋即将会面，合作版图持续扩张
三星与英伟达的合作，已从DRAM、HBM延伸至代工服务，如今又将NAND闪存纳入同盟框架，合作深度与广度均在持续扩展。
据报道，李在镕近期将在旧金山与英伟达首席执行官黄仁勋会面。此次会谈议题预计涵盖HBM及下一代NAND产品的供应安排，以及围绕在韩国全南光州等地建设数据中心的合作方案。
业界人士表示，“三星与英伟达的同盟横跨存储与代工业务全线，两位领导人之间的合作讨论将进一步深化。”随着英伟达CMX出货在即，这场会面的战略意义，无疑将更加凸显。
苹果与铠侠签署为期3-5年的NAND闪存长期供应协议，且可能不设价格上限。此举旨在应对AI数据中心需求激增导致的芯片供应紧张，从单纯压价转向确保稳定供货。
铠侠预测NAND闪存市场已进入由AI推理需求和供给约束驱动的超级周期，至少持续至2028年。AI推理需求年复合增速达46%，供给因优先生产HBM而受限。铠侠采取保守扩产、锁定长期协议策略，目标将数据中心营收占比提升至60%以上。
铠侠与闪迪联合推出第十代332层QLCNAND闪存，位密度达37Gb/mm²，较第八代提升60%，采用CBA技术，接口速率4.8Gb/s，为业界首款，显著提升存储密度与性能，适用于AI、数据中心等高需求场景。
三星V10NAND已量产，助力英伟达AI服务器突破键值缓存瓶颈，但约60%产能集中于AI领域，可能引发其他行业及消费者存储供应短缺。三星预计2026年利润大幅增长，同时研发V11技术，但普通市场能否受益仍不确定。
2026年NAND闪存市场供需缺口达4%至5%，受人工智能需求爆发式增长推动，服务器出货量显著增长，但智能手机与笔记本电脑市场需求持续低迷。供应紧张局面预计在2027年下半年得到缓解，届时供需位元差有望转为正值。
忆联发布UH812c和UH832c两款PCIeGen5企业级固态硬盘，采用先进的3DeTLC闪存及自研主控芯片。顺序写入速度高达14.9GB/s，顺序读取速度达12GB/s，随机读写性能较前代显著提升，性能强劲，支持U.2和E3.S两种规格，最大容量可达16TB，功耗控制非常出色。
三星与英伟达合作扩展至NAND领域，英伟达为AI服务器研发上下文存储方案，需大量SSD。三星正加速第10代V-NAND量产，第11代已启动试产，层数最高达500层。
三星计划通过CMB技术将两块450层NAND晶圆键合，实现900至1000层以上芯片，使8TBQLCSSD容量跃升至32TB。针对晶圆翘曲采用夹具矫正与对位修正技术。该方案尚处原型阶段，SK海力士已量产321层，长江存储量产294/232层并扩产。
2026年第一季度全球NAND闪存营收达460亿美元，同比飙升近3.5倍，超过2024年全年。AI驱动企业级SSD占据40%份额，预计年底突破60%，消费级存储成本全面上涨。长江存储市占率升至13%，但产能紧张持续至2027年，消费级SSD短期无降价空间。
雷克沙存储卡或于6月1日起涨价，部分型号涨幅最高达25%。今年以来，多个存储品牌已陆续调价。此轮价格上涨主要受全球AI热潮驱动，AI应用大幅提升了对NAND闪存的需求，导致供应紧张。数据中心与AI基础设施快速消耗库存，推动NAND晶圆及合约价大幅攀升，预计2026年第二季度环比涨幅可能达70%至75%。
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