SSD容量4倍提升！三星冲刺1000层NAND

苹果与铠侠签署为期3-5年的NAND闪存长期供应协议，且可能不设价格上限。此举旨在应对AI数据中心需求激增导致的芯片供应紧张，从单纯压价转向确保稳定供货。

铠侠预测NAND闪存市场已进入由AI推理需求和供给约束驱动的超级周期，至少持续至2028年。AI推理需求年复合增速达46%，供给因优先生产HBM而受限。铠侠采取保守扩产、锁定长期协议策略，目标将数据中心营收占比提升至60%以上。

铠侠与闪迪联合推出第十代332层QLCNAND闪存，位密度达37Gb/mm²，较第八代提升60%，采用CBA技术，接口速率4.8Gb/s，为业界首款，显著提升存储密度与性能，适用于AI、数据中心等高需求场景。

三星V10NAND已量产，助力英伟达AI服务器突破键值缓存瓶颈，但约60%产能集中于AI领域，可能引发其他行业及消费者存储供应短缺。三星预计2026年利润大幅增长，同时研发V11技术，但普通市场能否受益仍不确定。

2026年NAND闪存市场供需缺口达4%至5%，受人工智能需求爆发式增长推动，服务器出货量显著增长，但智能手机与笔记本电脑市场需求持续低迷。供应紧张局面预计在2027年下半年得到缓解，届时供需位元差有望转为正值。

英伟达CMX驱动NAND需求爆发，明年预计超1亿TB。三星已量产V10并供货，同时将60%V9产能用于CMX。三星与英伟达合作深化，李在镕与黄仁勋将会面，讨论HBM、NAND及数据中心建设。供给集中或推高存储价格。

忆联发布UH812c和UH832c两款PCIeGen5企业级固态硬盘，采用先进的3DeTLC闪存及自研主控芯片。顺序写入速度高达14.9GB/s，顺序读取速度达12GB/s，随机读写性能较前代显著提升，性能强劲，支持U.2和E3.S两种规格，最大容量可达16TB，功耗控制非常出色。

三星与英伟达合作扩展至NAND领域，英伟达为AI服务器研发上下文存储方案，需大量SSD。三星正加速第10代V-NAND量产，第11代已启动试产，层数最高达500层。

2026年第一季度全球NAND闪存营收达460亿美元，同比飙升近3.5倍，超过2024年全年。AI驱动企业级SSD占据40%份额，预计年底突破60%，消费级存储成本全面上涨。长江存储市占率升至13%，但产能紧张持续至2027年，消费级SSD短期无降价空间。

雷克沙存储卡或于6月1日起涨价，部分型号涨幅最高达25%。今年以来，多个存储品牌已陆续调价。此轮价格上涨主要受全球AI热潮驱动，AI应用大幅提升了对NAND闪存的需求，导致供应紧张。数据中心与AI基础设施快速消耗库存，推动NAND晶圆及合约价大幅攀升，预计2026年第二季度环比涨幅可能达70%至75%。