雷克沙存储卡产品将于6月1日起涨价涨幅最高可达25%
雷克沙存储卡或于6月1日起涨价，部分型号涨幅最高达25%。今年以来，多个存储品牌已陆续调价。此轮价格上涨主要受全球AI热潮驱动，AI应用大幅提升了对NAND闪存的需求，导致供应紧张。数据中心与AI基础设施快速消耗库存，推动NAND晶圆及合约价大幅攀升，预计2026年第二季度环比涨幅可能达70%至75%。
存储卡市场最近又传来新动静。据科技媒体PhotoRumors昨日消息，业内传闻存储品牌雷克沙（Lexar）可能于6月1日对旗下存储卡产品进行价格调整，部分型号涨幅最高或达25%。
这并非个例。实际上，今年以来，包括LaCie（雷孜）、OWC、ProGrade在内的多个存储品牌，已陆续对存储卡、移动固态硬盘等产品进行了调价。
这一轮价格上涨，背后有清晰的逻辑主线。核心驱动力，正是席卷全球的AI热潮。AI训练与应用对数据存储与处理的需求呈爆炸式增长，直接拉动了作为核心存储介质的NAND闪存的需求。市场供需天平迅速倾斜，导致颗粒供应持续紧张。
具体来看，超大规模数据中心和AI基础设施的建设，正在快速消耗NAND闪存的库存。这种供需矛盾直接反映在价格上：NAND晶圆及合约价大幅攀升。有行业分析预计，2026年第二季度NAND合约价格环比涨幅可能在70%至75%之间。而在今年早些时候，部分市场报告甚至指出某些环节的涨幅超过了100%。
苹果与铠侠签署为期3-5年的NAND闪存长期供应协议，且可能不设价格上限。此举旨在应对AI数据中心需求激增导致的芯片供应紧张，从单纯压价转向确保稳定供货。
铠侠预测NAND闪存市场已进入由AI推理需求和供给约束驱动的超级周期，至少持续至2028年。AI推理需求年复合增速达46%，供给因优先生产HBM而受限。铠侠采取保守扩产、锁定长期协议策略，目标将数据中心营收占比提升至60%以上。
铠侠与闪迪联合推出第十代332层QLCNAND闪存，位密度达37Gb/mm²，较第八代提升60%，采用CBA技术，接口速率4.8Gb/s，为业界首款，显著提升存储密度与性能，适用于AI、数据中心等高需求场景。
三星V10NAND已量产，助力英伟达AI服务器突破键值缓存瓶颈，但约60%产能集中于AI领域，可能引发其他行业及消费者存储供应短缺。三星预计2026年利润大幅增长，同时研发V11技术，但普通市场能否受益仍不确定。
2026年NAND闪存市场供需缺口达4%至5%，受人工智能需求爆发式增长推动，服务器出货量显著增长，但智能手机与笔记本电脑市场需求持续低迷。供应紧张局面预计在2027年下半年得到缓解，届时供需位元差有望转为正值。
英伟达CMX驱动NAND需求爆发，明年预计超1亿TB。三星已量产V10并供货，同时将60%V9产能用于CMX。三星与英伟达合作深化，李在镕与黄仁勋将会面，讨论HBM、NAND及数据中心建设。供给集中或推高存储价格。
忆联发布UH812c和UH832c两款PCIeGen5企业级固态硬盘，采用先进的3DeTLC闪存及自研主控芯片。顺序写入速度高达14.9GB/s，顺序读取速度达12GB/s，随机读写性能较前代显著提升，性能强劲，支持U.2和E3.S两种规格，最大容量可达16TB，功耗控制非常出色。
NAND闪存供需短缺预计二零二七年下半年恢复平衡，但短期内仍面临缺口；DRAM因人工智能需求推动，短缺可能持续长达十年之久，至二零二七年底全球所有制造商仅能满足大约百分之六十市场总需求。
三星与英伟达合作扩展至NAND领域，英伟达为AI服务器研发上下文存储方案，需大量SSD。三星正加速第10代V-NAND量产，第11代已启动试产，层数最高达500层。
2026年的手机市场，出现了一个颇为戏剧性的变化——就在两年前还被当成“性能天花板”的24GB内存，如今已经彻底从主流旗舰的配置单上消失了。高通最新的骁龙8E6系列虽然硬件上依然支持24GB，但所有主流厂商都选择了集体放弃。这背后，是一场由存储芯片价格暴涨引发的连锁反应。 回顾2024年，不少主打极
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