长鑫存储迈入LPDDR6风险量化阶段 推出12.8Gbps新一代内存芯片
长鑫存储LPDDR6内存进入风险量产,基础速率10.7Gbps,最高12.8Gbps,单颗16Gb,采用POP封装,已送样验证,后续将大规模量产。SK海力士同类产品最高14.4Gbps,均符合JEDEC标准。
中国半导体巨头长鑫存储(CXMT)最近搞了个大动作——正式进入最新一代LPDDR6内存的风险量产阶段。这可不是小打小闹,意味着长鑫存储在芯片制造工艺和技术演进上,已经跟三星、SK海力士、美光这些国际巨头站在了同一梯队。

先看规格:首批由长鑫存储晶圆厂生产的LPDDR6内存芯片,基础速率10.7 Gbps,最高能跑到12.8 Gbps。这速度,直接接棒了此前LPDDR5X的极限——10.7 Gbps。单颗芯片容量16 Gb(相当于2 GB),内部集成约1295个球栅阵列引脚,采用适合移动设备的POP(Package-on-Package)封装。数据很硬核,不是纸上谈兵。
目前这个阶段,主要是在向客户送样验证,之后才会正式转向风险量产。不过,熟悉长鑫存储的朋友应该知道,这家公司在产能建设和工程推进效率上,向来是行业领先水平。保守估计,风险量产启动后的数周或数月内,就能全面转向大规模量产(HVM)。节奏快,是他们的传统。
当然,竞品也不是吃素的。韩国内存巨头SK海力士此前宣布,其LPDDR6模块基于第六代10nm级(1c)工艺打造,最高速率可达14.4 Gbps。各家在速度极限上略有出入,但都完全符合JEDEC(固态技术协会)制定的LPDDR6最新标准。随着制造工艺和技术规范持续成熟,未来市场上还会出现更高性能的内存产品。这场存储竞赛,才刚刚开始。
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