消息称 SK 海力士测试东京电子低温蚀刻设备，有望简化闪存生产

苹果与铠侠签署为期3-5年的NAND闪存长期供应协议，且可能不设价格上限。此举旨在应对AI数据中心需求激增导致的芯片供应紧张，从单纯压价转向确保稳定供货。

韩国ENF科技实现半导体级氢氟酸国产化，首批产品已交付SK海力士，用于晶圆刻蚀与清洗并投入DRAM产线。自2020年起累计投资超1000亿韩元建成一体化产能，目标2026年下半年批量外供，打破日本长期垄断。

铠侠预测NAND闪存市场已进入由AI推理需求和供给约束驱动的超级周期，至少持续至2028年。AI推理需求年复合增速达46%，供给因优先生产HBM而受限。铠侠采取保守扩产、锁定长期协议策略，目标将数据中心营收占比提升至60%以上。

SK海力士宣布应届生招聘废除学历门槛，不再要求本科及以上学历，重点考察实操经验、专业技能与文化契合度。高中学历可申请技术岗，产线岗也取消限制。此举旨在识别复合型人才，缓解降级应聘现象，并体现AI时代强调批判性思维、动态适应与多元共情的新型人才观。

英特尔任命SK海力士前CEOSeok-HeeLee负责先进封装业务，同日宣布与苹果合作在美国本土设计制造芯片，刺激股价飙升10%创历史新高。先进封装被确立为独立运营板块，成为重振代工业务的关键举措。

SK海力士在HPED2026展出16层48GBHBM4、12层36GBHBM4及HBM3E实物，以及CXL3.2平台256GBCMM-DDR5、最大容量256GB3D堆叠RDIMM、SOCAMM2AI内存模块、PS1010eSSD，并介绍CXL全内存系统与HMSDK，目标成为全栈AI内存制造商。

SK海力士披露赴美上市计划，将在纳斯达克发行存托凭证，预计7月10日交易。作为英伟达HBM芯片核心供应商，受益于AI爆发，股价今年涨超300%，市值超越三星成韩国第一。计划发行最高45.45万亿韩元ADR，由美国银行、花旗、高盛和摩根大通承销。

SK海力士斥资400万亿韩元在韩国西南部建存储晶圆厂及HBM产线，计划2035年实现15吉瓦AI数据中心容量。SK集团在韩本土半导体、AI数据中心等累计投资已达1100万亿韩元。

韩国政府启动大规模产业投资计划，在西南部斥资约800万亿韩元新建四座芯片厂，三星和SK海力士各承建两座，目标五年内DRAM产能翻倍。同时，2035年前AI数据中心投入超1000万亿韩元，忠清地区另投81万亿韩元建设封装产业集群。政企协同推进三大超级项目，市场反应积极。

韩国总统李在明公布芯片、物理AI及AI数据中心投资计划，西南地区新项目投资5万至20万亿韩元，长远规划投入800万亿新建四座芯片厂，三星与SK海力士各两座，目标五年内DRAM产能翻倍。三星与SK集团正酝酿十年2000万亿韩元投资，或为韩国史上最大企业投资。