美股盘前存储板块走强！SK海力士联合闪迪发布HBF开放标准

8月4日，美股盘前存储板块集体走强，这不是单独一家的涨跌，而是一场蓄势待发的多头攻势。美光科技盘前上涨3.68%，SK海力士涨3.00%，闪迪涨4.05%，西部数据涨2.92%，希捷科技也涨了2.44%。从这份名单就能看出，整个存储产业链都在发力。

消息面上，当天韩国KOSPI指数收涨1.62%，报6358.95点。个股方面，SK海力士微涨0.64%，三星电子微涨0.21%。但有意思的是盘中走势——三星和SK海力士都曾一度跌超4%，随后又双双转涨，韩国创业板指期货更是触发熔断机制，一度飙升超过6%。这种剧烈震荡背后，显然有资金在博弈预期。

真正引爆行业情绪的，还是SK海力士联合闪迪发布了高带宽闪存（HBF）的首套标准规范。这套标准支持最高16层堆叠，单颗容量可达512GB。要知道，今年2月双方才牵头成立HBF规格标准化联盟，仅仅6个月就完成了标准制定，效率相当惊人。整套规范依托全球最大的开放数据中心技术合作组织OCP（开放计算项目）对外公开，而且免费向全行业开放——这步棋，摆明了是要抢占下一代存储标准的制高点。

从TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究来看，当前DRAM供不应求的格局将延续到2027年，这给整个行业奠定了长期向好的基调。但变数在于，原厂HBM4e的验证进度存在不确定性。自2026年第三季度起，英伟达对Rubin Ultra的HBM配置已经从HBM4e 12hi，改为并行评估HBM4e 8hi、HBM4 12hi、HBM4 8hi等多种设计，目前尚未定案。不只英伟达，部分云端服务供应商也在考虑调降下一代自研ASIC的HBM容量设计。这种调整，本质上是在供需博弈与技术成熟度之间寻找平衡点。