CXL

三星电子、SK海力士、美光集体放弃第一方CXL内存控制器商业化路径。下游数据中心客户偏好分别采购DIMM和控制器自组合以降低成本。美光转投Primemas方案，SK海力士转向PIM领域，三星主控仅用于学术项目。澜起科技等Fabless公司迎来新机遇。

本站9月24日消息，SK海力士昨日宣布其已成功将用于优化CXL内存运行的自研软件HMSDK（本站注：异构存储器软件开发套件）主要功能在Linux操作系统上运行。该软件可根据传统内存与CXL内存的差异灵活分配存储资源。SK海力士宣称，即使不调整现有应用程序，HMSDK也可提高至少30%内存整体带宽。此外该软件还具备“基于访问频率的优化”功能，可将高频使用数据迁移至快速内存，从而提升12%系统性能。随着下半年首批支持CXL2.0的服务器CPU问世，CXL有望正式进入商业化阶段。SK海力士正为此对96GB、12

本站9月5日消息，Innodisk宜鼎国际当地时间昨日宣布推出CXL2.0内存模块，为AI服务器和云数据中心提供更大内存带宽和更多内存容量。宜鼎CXL2.0内存模块采用16.8mm厚度的EDSFFE3.S2T外形规格，支持PCIe5.0×8接口。其基于DDR5内存颗粒，容量方面则为64GB。以配备8根128GB内存条（本站注：即8通道1DPC）的服务器系统为例，如果添加4个这样的CXL内存模块，则可提供额外30%内存容量和40%内存带宽，可无缝满足AI服务器的苛刻内存需求。特别对于紧凑型双路CPU布局的服

本站7月18日消息，据韩媒ZDNetKorea报道，三星电子内存部门新业务规划团队负责人ChoiJangSeok今日表示，三星将在今年底开始量产符合CXL2.0协议的256GBCMM-D2.0模块。该内存模组将配备较为成熟的1ynm（第二代10+nm级）工艺DRAM内存颗粒，发挥CXL内存模块对DRAM颗粒性能要求较低的优势。未来三星电子还将推出颗粒更为先进的版本。▲三星电子CMM-D模组除CMM-D外，三星电子还规划了多个类型的CXL存储产品，包含配备多个CMM-D模块的CMM-B内存盒模组、同时搭载D

本站6月25日消息，JEDEC固态技术协会今日发布了适用于CXL1.1规范的JESD405-1B内存模块标签标准，为规范化CXL内存模块提供标准支持。CXL内存模块为支持CXL规范的服务器系统提供了一条添加大量内存的简便途径，这些内存模块通常采用EDSFFE1.S或E3.S规格，支持热插拔。▲三星CMM-DCXL内存模块JEDEC表示，JESD405-1B与2023年发布的JESD317A（本站注：适用于CXL1.0的内存模块参考基础标准）一道，定义了CXL内存模块的功能和配置，以及这

本站3月21日消息，据三星半导体微信公众号发布的中国闪存市场峰会2024简报，其正研发CMM-H混合存储CXL模组。该模组同时包含DRAM内存和NAND闪存。本站注：作为一种新型高速互联技术，CXL可提供更高的数据吞吐量和更低的传输延迟，可在CPU和外部设备间建立高效连接。根据三星给出的图示，这一模组可经由CXL界面直接在闪存部分和CPU之间传输块I/O，也可经由DRAM缓存和CXL界面实现64字节的内存I/O传输。CMM-H模组可实现细粒度访问，降低TCO，同时也是可能的持久内存选项。根据三星展示的路线

本站12月27日消息，随着AI应用爆发，“内存墙”成为制约计算系统性能的主要因素之一。CXL建立在PCIe的物理和电气接口之上，CXL内存扩展功能可在服务器中的直连DIMM插槽之外实现额外的内存容量和带宽，支持内存池化和共享，满足高性能CPU/GPU的算力需求。近日，国产佰维存储宣布成功研发出支持CXL2.0规范的CXLDRAM内存扩展模块。佰维CXL2.0DRAM采用EDSFF（E3.S）外形规格，内存容量最高96GB，同时支持PCIe5.0×8接口，理论带宽可达32GB/s，可与支持CXL规范及E3.