三星正在开发CMM-H混合存储模组：利用CXL技术连接DRAM和NAND闪存
本站3月21日消息，据三星半导体微信公众号发布的中国闪存市场峰会2024简报，其正研发CMM-H混合存储CXL模组。该模组同时包含DRAM内存和NAND闪存。本站注：作为一种新型高速互联技术，CXL可提供更高的数据吞吐量和更低的传输延迟，可在CPU和外部设备间建立高效连接。根据三星给出的图示，这一模组可经由CXL界面直接在闪存部分和CPU之间传输块I/O，也可经由DRAM缓存和CXL界面实现64字节的内存I/O传输。CMM-H模组可实现细粒度访问，降低TCO，同时也是可能的持久内存选项。根据三星展示的路线
本站 3 月 21 日消息，据三星半导体微信公众号发布的中国闪存市场峰会 2024 简报，其正研发 CMM-H 混合存储 CXL 模组。该模组同时包含 DRAM 内存和 NAND 闪存。
本站注：作为一种新型高速互联技术，CXL 可提供更高的数据吞吐量和更低的传输延迟，可在 CPU 和外部设备间建立高效连接。
根据三星给出的图示，这一模组可经由 CXL 界面直接在闪存部分和 CPU 之间传输块 I / O，也可经由 DRAM 缓存和 CXL 界面实现 64 字节的内存 I / O 传输。
CMM-H 模组可实现细粒度访问，降低 TCO，同时也是可能的持久内存选项。
根据三星展示的路线图，其计划在今年上半年制作一款原型 CMM-H 产品。该原型将配备基于 FPGA 的 CXL 1.1 控制器，采用 E3.L 2T 规格，最大容量 4TB，最大带宽 8GB/s。
展望未来商用量产 CMM-H 模组，其基于 ASIC 的成熟控制器将支持 CXL 3.0 规范，容量最大可选 16TB，最大带宽提升至 64GB/s，将于 2026 年准备就绪。
此外，在更传统的 CXL-D 纯内存 CXL 存储模组方面，三星计划明年一季度出样 128GB 容量的第二代产品，其采用 1b nm 制程 DRAM 颗粒，速度达 6400MT/s。
明年三星还将丰富第二代 CXL-D 模组产品线，512GB 和 256GB 容量产品随后跟上。
三星电子、SK海力士、美光集体放弃第一方CXL内存控制器商业化路径。下游数据中心客户偏好分别采购DIMM和控制器自组合以降低成本。美光转投Primemas方案，SK海力士转向PIM领域，三星主控仅用于学术项目。澜起科技等Fabless公司迎来新机遇。
本站9月24日消息，SK海力士昨日宣布其已成功将用于优化CXL内存运行的自研软件HMSDK（本站注：异构存储器软件开发套件）主要功能在Linux操作系统上运行。该软件可根据传统内存与CXL内存的差异灵活分配存储资源。SK海力士宣称，即使不调整现有应用程序，HMSDK也可提高至少30%内存整体带宽。此外该软件还具备“基于访问频率的优化”功能，可将高频使用数据迁移至快速内存，从而提升12%系统性能。随着下半年首批支持CXL2.0的服务器CPU问世，CXL有望正式进入商业化阶段。SK海力士正为此对96GB、12
本站9月5日消息，Innodisk宜鼎国际当地时间昨日宣布推出CXL2.0内存模块，为AI服务器和云数据中心提供更大内存带宽和更多内存容量。宜鼎CXL2.0内存模块采用16.8mm厚度的EDSFFE3.S2T外形规格，支持PCIe5.0×8接口。其基于DDR5内存颗粒，容量方面则为64GB。以配备8根128GB内存条（本站注：即8通道1DPC）的服务器系统为例，如果添加4个这样的CXL内存模块，则可提供额外30%内存容量和40%内存带宽，可无缝满足AI服务器的苛刻内存需求。特别对于紧凑型双路CPU布局的服
本站7月18日消息，据韩媒ZDNetKorea报道，三星电子内存部门新业务规划团队负责人ChoiJangSeok今日表示，三星将在今年底开始量产符合CXL2.0协议的256GBCMM-D2.0模块。该内存模组将配备较为成熟的1ynm（第二代10+nm级）工艺DRAM内存颗粒，发挥CXL内存模块对DRAM颗粒性能要求较低的优势。未来三星电子还将推出颗粒更为先进的版本。▲三星电子CMM-D模组除CMM-D外，三星电子还规划了多个类型的CXL存储产品，包含配备多个CMM-D模块的CMM-B内存盒模组、同时搭载D
本站6月25日消息，JEDEC固态技术协会今日发布了适用于CXL1.1规范的JESD405-1B内存模块标签标准，为规范化CXL内存模块提供标准支持。CXL内存模块为支持CXL规范的服务器系统提供了一条添加大量内存的简便途径，这些内存模块通常采用EDSFFE1.S或E3.S规格，支持热插拔。▲三星CMM-DCXL内存模块JEDEC表示，JESD405-1B与2023年发布的JESD317A（本站注：适用于CXL1.0的内存模块参考基础标准）一道，定义了CXL内存模块的功能和配置，以及这
本站12月27日消息，随着AI应用爆发，“内存墙”成为制约计算系统性能的主要因素之一。CXL建立在PCIe的物理和电气接口之上，CXL内存扩展功能可在服务器中的直连DIMM插槽之外实现额外的内存容量和带宽，支持内存池化和共享，满足高性能CPU/GPU的算力需求。近日，国产佰维存储宣布成功研发出支持CXL2.0规范的CXLDRAM内存扩展模块。佰维CXL2.0DRAM采用EDSFF（E3.S）外形规格，内存容量最高96GB，同时支持PCIe5.0×8接口，理论带宽可达32GB/s，可与支持CXL规范及E3.
（全球TMT2023年11月6日讯）2023年11月5日，中国国际进口博览会在上海国家会展中心正式开幕。这是三星电子第六年连续参展，他们在本次博览会上全面展示了面向智能汽车、消费电子、人工智能等热门应用和新兴产业的创新半导体技术三星半导体进博会展台（国家会展中心4.1馆）三星半导体展出了包括第三代超高速高带宽内存HBM3EShinebolt、CMM-D等一系列满足AI时代的数据中心应用需求的创新存储解决方案。其中，新一代HBM3EShinebolt与前代产品相比，其传输速率将提升达43%，每千兆字节（GB
三星半导体的全球分拨中心项目已于2023年10月31日提前5天完成结构封顶，这是本站于11月2日获悉的消息苏州工业园区高端制造与国际贸易区消息显示，三星半导体全球分拨中心项目是苏州自贸片区重要的物流旗舰项目，该项目占地40亩，建筑面积约2万平方米。三星（中国）半导体有限公司2012年落户西安高新区，是中国改革开放以来引进的单笔投资额最大的外商投资项目之一，项目总投资超过270亿美元（本站备注：当前约1976.4亿元人民币）。三星官方表示，他们对中国市场充满信心，并将继续在中国投资。据其透露，三星半导体西安
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