提升 1b nm DRAM 产能以满足 HBM3E 内存需求，消息称 SK 海力士正升级 M16 晶圆厂
本站6月17日消息，据韩媒TheElec报道，SK海力士计划大幅增加1bnm制程DRAM内存产能，以满足HBM3E内存需求。HBM内存对DRAM裸片的消耗远高于标准内存，因此SK海力士进一步扩张1bnm制程DRAM产能在一定程度上有助于缓解HBM内存目前的紧缺。SK海力士目标到今年年底将1bnm内存晶圆投片量增至9万片，明年上半年进一步增加到14~15万片。为此SK海力士计划将其位于京畿道利川市的M16内存晶圆厂升级至1bnm工艺。M16目前生产1ynmDRAM内存。如果完全转产至1bnm，预计将导致SK
本站 6 月 17 日消息，据韩媒 The Elec 报道，SK 海力士计划大幅增加 1b nm 制程 DRAM 内存产能，以满足 HBM3E 内存需求。
HBM 内存对 DRAM 裸片的消耗远高于标准内存，因此 SK 海力士进一步扩张 1b nm 制程 DRAM 产能在一定程度上有助于缓解 HBM 内存目前的紧缺。
SK 海力士目标到今年年底将 1b nm 内存晶圆投片量增至 9 万片，明年上半年进一步增加到 14~15 万片。
为此 SK 海力士计划将其位于京畿道利川市的 M16 内存晶圆厂升级至 1b nm 工艺。
M16 目前生产 1y nm DRAM 内存。如果完全转产至 1b nm，预计将导致 SK 海力士 1y nm 产能从现在的每月 12 万片晶圆下降至 5 万片。
韩媒援引半导体设备行业消息人士的话称，SK 海力士已提出了对 M16 晶圆厂进行设备移动和改造的要求，并计划仅引进必需的沉积、光刻和蚀刻核心设备。
有相关人士表示，SK 海力士的追加投资仍受到此前存储行业低谷期的影响，整体决策流程十分谨慎，不过目前相关订单的增长已超出了上游设备厂商最初预期。
本站 4 月曾报道，SK 海力士计划 2025 年 11 月完成 M15X DRAM 内存晶圆厂的建设。韩媒提到，相关设备订单预计于 2025 年初开始下单
英伟达发布定制HBM技术NVHBM，通过集成内存控制器至HBM基础裸片，实现带宽较HBM4E提升30%、功耗降低15%，并释放主芯片25%空间。亚马逊Annapurna Labs为首个合作伙伴，该技术旨在通过标准化方案加速定制AI芯片开发，而非取代通用HBM。
韩国ENF科技实现半导体级氢氟酸国产化，首批产品已交付SK海力士，用于晶圆刻蚀与清洗并投入DRAM产线。自2020年起累计投资超1000亿韩元建成一体化产能，目标2026年下半年批量外供，打破日本长期垄断。
SK海力士宣布应届生招聘废除学历门槛，不再要求本科及以上学历，重点考察实操经验、专业技能与文化契合度。高中学历可申请技术岗，产线岗也取消限制。此举旨在识别复合型人才，缓解降级应聘现象，并体现AI时代强调批判性思维、动态适应与多元共情的新型人才观。
英特尔任命SK海力士前CEOSeok-HeeLee负责先进封装业务，同日宣布与苹果合作在美国本土设计制造芯片，刺激股价飙升10%创历史新高。先进封装被确立为独立运营板块，成为重振代工业务的关键举措。
AMD因用户强烈反弹，将为消费级Ryzen处理器恢复TSME内存加密功能。此前该功能被AGESA微码悄然关闭，仅保留在PRO等高端产品线，而英特尔竞品仍开放类似功能。AMD将通过UEFI固件更新，自2026年7月起由主板厂商发布BIOS恢复该选项。
SK海力士在HPED2026展出16层48GBHBM4、12层36GBHBM4及HBM3E实物，以及CXL3.2平台256GBCMM-DDR5、最大容量256GB3D堆叠RDIMM、SOCAMM2AI内存模块、PS1010eSSD，并介绍CXL全内存系统与HMSDK，目标成为全栈AI内存制造商。
消费级DRAM供给紧缩，三大原厂优先HBM与服务器内存，DDR4投片缩减。需求转向DDR2/DDR3，DDR2合约价二季度涨55%-60%，三季度再涨35%-40%。品牌厂与ODM厂降级使用，缺货压力向下传导。
杰富瑞研报预测，2026年Q3全球存储芯片价格环比涨40%-50%，Q4涨30%-40%，2027全年均价同比涨约40%-45%，降价或始于2028年，届时跌幅15%-20%。
SK海力士披露赴美上市计划，将在纳斯达克发行存托凭证，预计7月10日交易。作为英伟达HBM芯片核心供应商，受益于AI爆发，股价今年涨超300%，市值超越三星成韩国第一。计划发行最高45.45万亿韩元ADR，由美国银行、花旗、高盛和摩根大通承销。
Windows 10 是一款微软推出的经典操作系统，拥有硬件兼容性与多任务处理能力。它更偏向把系统状态查看和常用调节动作放在一起，适合需要持续观察和微调设备状态的场景。
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