消息称 SK 海力士五层堆叠 3D DRAM 内存良率已达 56.1%
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本站6月24日消息，韩媒BusinessKorea报道，业内人士透露SK海力士在6月16至20日在美国夏威夷举行的VLSI2024峰会上发表了有关3DDRAM技术的最新研究论文。在这篇论文中，SK海力士报告其五层堆叠的3DDRAM内存良率已达56.1%，实验中的3DDRAM展现出与目前2DDRAM相似的特性。据介绍，与传统的DRAM水平排列内存单元不同，3DDRAM垂直堆叠单元，可以在相同空间内实现更高的密度。不过，SK海力士指出，与
本站 6 月 24 日消息，韩媒 BusinessKorea 报道，业内人士透露 SK 海力士在 6 月 16 至 20 日在美国夏威夷举行的 VLSI 2024 峰会上发表了有关 3D DRAM 技术的最新研究论文。
在这篇论文中，SK 海力士报告其五层堆叠的 3D DRAM 内存良率已达 56.1%，实验中的 3D DRAM 展现出与目前 2D DRAM 相似的特性。
据介绍，与传统的 DRAM 水平排列内存单元不同，3D DRAM 垂直堆叠单元，可以在相同空间内实现更高的密度。
不过，SK海力士指出，与 2DDRAM 的稳定运行不同，3DDRAM 表现出不稳定的性能特征，需要堆叠 32 到 192 层存储单元才能实现普遍应用。
本站注意到，三星正在开发 16 层堆叠 3D DRAM，并在今年 3 月的 MemCon 2024 展会上宣布计划在 2030 年左右实现 3D DRAM 产品商业化应用。
韩国ENF科技实现半导体级氢氟酸国产化，首批产品已交付SK海力士，用于晶圆刻蚀与清洗并投入DRAM产线。自2020年起累计投资超1000亿韩元建成一体化产能，目标2026年下半年批量外供，打破日本长期垄断。
SK海力士宣布应届生招聘废除学历门槛，不再要求本科及以上学历，重点考察实操经验、专业技能与文化契合度。高中学历可申请技术岗，产线岗也取消限制。此举旨在识别复合型人才，缓解降级应聘现象，并体现AI时代强调批判性思维、动态适应与多元共情的新型人才观。
英特尔任命SK海力士前CEOSeok-HeeLee负责先进封装业务，同日宣布与苹果合作在美国本土设计制造芯片，刺激股价飙升10%创历史新高。先进封装被确立为独立运营板块，成为重振代工业务的关键举措。
SK海力士在HPED2026展出16层48GBHBM4、12层36GBHBM4及HBM3E实物，以及CXL3.2平台256GBCMM-DDR5、最大容量256GB3D堆叠RDIMM、SOCAMM2AI内存模块、PS1010eSSD，并介绍CXL全内存系统与HMSDK，目标成为全栈AI内存制造商。
港股两倍做多海力士产品盘中涨超18%创新高，年内累计涨幅达1081%。其动力来自SK海力士股价创新高，市值突破2000万亿韩元。消息面上，SK海力士计划最早8月赴美上市，SEC或本周批准其ADR申请。
SK海力士披露赴美上市计划，将在纳斯达克发行存托凭证，预计7月10日交易。作为英伟达HBM芯片核心供应商，受益于AI爆发，股价今年涨超300%，市值超越三星成韩国第一。计划发行最高45.45万亿韩元ADR，由美国银行、花旗、高盛和摩根大通承销。
苹果因存储芯片价格飙升，计划从长鑫采购DRAM以稳定供应而非降低成本，并正游说美国政府放宽管制。此举旨在应对2027年供应缺口，避免A20芯片采购量下降。
SK海力士斥资400万亿韩元在韩国西南部建存储晶圆厂及HBM产线，计划2035年实现15吉瓦AI数据中心容量。SK集团在韩本土半导体、AI数据中心等累计投资已达1100万亿韩元。
韩国政府启动大规模产业投资计划，在西南部斥资约800万亿韩元新建四座芯片厂，三星和SK海力士各承建两座，目标五年内DRAM产能翻倍。同时，2035年前AI数据中心投入超1000万亿韩元，忠清地区另投81万亿韩元建设封装产业集群。政企协同推进三大超级项目，市场反应积极。
韩国总统李在明公布芯片、物理AI及AI数据中心投资计划，西南地区新项目投资5万至20万亿韩元，长远规划投入800万亿新建四座芯片厂，三星与SK海力士各两座，目标五年内DRAM产能翻倍。三星与SK集团正酝酿十年2000万亿韩元投资，或为韩国史上最大企业投资。
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