传国内开始量产DUV光刻机:首批设备今年交付,明年生产20台
国内DUV光刻机进入量产阶段,今年计划生产5台,明年增至20台。首批设备年内交付中芯国际、华虹宏力及长鑫存储。采用193nmArF激光器与浸没式技术,可满足7nm及以上制程需求,但需数月验证精度与可靠性。
市场消息显示,国内DUV(深紫外)光刻机已经正式进入量产阶段。根据The Information的报道,来自知情人士的说法,今年计划生产5台,明年产量将提升至20台。首批设备会在年内交付给中芯国际、华虹宏力半导体以及长鑫存储,逐步整合到它们的生产流程中。当然,新设备投入量产前,还有一道绕不开的坎——精度、可靠性和兼容性都需要验证,这个过程可能需要几个月甚至更长时间。

从技术参数来看,这台DUV光刻机配备了193nm的氟化氩(ArF)激光器,采用浸没式光刻技术,以水作为介质,再结合多重图形化工艺,可以制造出纳米级别的芯片特征尺寸。简而言之,DUV技术是当前芯片制造产业中的关键一环,能够满足7nm及以上制程芯片的生产需求。
说到DUV光刻机,大家最熟悉的莫过于ASML——这家荷兰公司已经在这个领域深耕多年。早在2004年,英特尔和台积电就开始使用浸入式DUV光刻技术。正是凭借DUV光刻机,ASML成功反超尼康,并在2020年之后稳坐全球光刻机龙头的宝座,这个地位一直保持到现在。
从出货量来看,去年ASML一共交付了131台DUV光刻机,今年的预计出货量在130台左右。目前ASML最先进的DUV型号是TWINSCAN NXT:2150i,每小时能处理超过310片晶圆,配合自对准四重图案化技术(SAQP),甚至可以生产7nm乃至5nm的芯片。这背后的技术积累,确实不是一朝一夕能追赶的。
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