美光宣布超2500亿美元投资计划，三个月股价翻倍

7月9日，存储芯片巨头美光科技放出重磅消息：计划到2035年，将美国本土的晶圆厂及技术投资总额提升至超过2500亿美元，比之前承诺的2000亿美元又加了500亿。这可不是小数目。

消息一出，美光科技当天股价直接起飞，盘中一度飙升超过9%，最高摸到1034美元。虽然尾盘有所回落，最终收涨4.52%，报991.64美元，总市值达到1.12万亿美元。从4月14日的465.66美元起步，到7月9日收盘，短短三个月，股价累计上涨约113%，市值直接翻倍。这一轮AI行情里，美光绝对是表现最亮眼的半导体标的之一。

这笔超过2500亿美元的投资，会分布在纽约州、爱达荷州、弗吉尼亚州等多个项目上，包括新建晶圆厂、扩建现有产能，以及先进技术研发。核心目标很明确：让美国本土的DRAM产量占到总产量的40%，强化本土供应链的自主可控能力。

有意思的是，就在宣布投资计划的同一天，美光位于纽约州克莱镇的新工厂完成了首次混凝土浇筑，比原定计划提前了一个季度。这项目推进速度，比市场预期的要快得多。与此同时，公司还宣布斥资约30亿美元强化半导体上游材料环节，并且有意与关键客户签下长达10年的晶圆供应长约。看得出来，美光的扩张重心正在从单纯的“烧钱建厂”，转向“锁定原料”和“锁定订单”双管齐下。

如此激进的投资计划，底气来自美光刚刚交出的史上最强季报。6月24日盘后，美光发布2026财年第三季度财报：营收高达414.6亿美元，同比暴涨346%，环比增长74%，创下公司历史最高单季营收纪录，并且超出华尔街此前约356亿美元的预期近58亿美元。盈利端更夸张，Non-GAAP净利润飙升至288.6亿美元，同比暴涨约1224%，接近去年同期的13倍。毛利率攀升至84.9%，创下公司自1978年成立以来的历史最高水平，比2025财年同期的39%提升了45.9个百分点。这不仅远超行业平均水平，更首次超越了英伟达同期73.6%的毛利率。财报公布后，美光股价单日大涨超过15%。

这背后，是AI算力革命对存储芯片的疯狂需求。尤其是高带宽内存HBM，成了最大的增长引擎。机构预测，今年AI相关DRAM需求占比将突破53%。而供给端，三星、SK海力士、美光这些巨头，都在把先进产能优先投向高附加值的HBM产品，压缩了通用存储的产能投放，供需缺口持续扩大。全球最大的三家DRAM原厂——三星、SK海力士和美光，合计市场份额超过九成。正是在这样的背景下，美光定下了将DRAM本土产能占比提升至40%的目标。

此前，高盛已经把美光12个月目标股价从400美元大幅上调至900美元，同时维持“中性”评级。同时，高盛将美光2026年和2027年的营收预期与非GAAP每股收益预期分别平均上调了28%和36%，理由是更强劲的行业定价趋势和需求增长潜力。

值得注意的是，美光宣布投资计划之前，韩国已经率先打响了本土存储产能扩张的“第一枪”。6月29日，韩国政府联合三星、SK集团，公布了总计4755万亿韩元的国内投资计划，围绕半导体、物理AI、AI数据中心三大核心项目全面铺开。其中，三星承诺投资2655万亿韩元，SK集团投入约2100万亿韩元。半导体是绝对重心，韩国计划在西南部光州、全罗区域投资约800万亿韩元（约合5180亿美元），新建四座存储芯片晶圆制造厂，由三星和SK海力士各承建两座，力争五年内实现韩国国内DRAM产能翻倍。

不过，也有分析人士提醒：如果各大厂商集中扩产的产能在未来几年集中释放，而需求增速跟不上，行业可能重新进入下行周期。此外，先进制程的技术竞争、HBM市场份额的争夺，以及国际贸易政策的变化，都会持续影响存储厂商的长期盈利能力。这盘棋，才刚刚开始。