英特尔新光罩厂动工，聚焦EUV与High NA EUV技术

2026年6月30日，英特尔在加州圣克拉拉市的Bowers园区，为其全新的光罩生产设施举行了动工仪式。英特尔首席执行官陈立武、代工业务负责人、掩模业务总经理以及圣克拉拉市长丽莎·吉尔莫等核心人物悉数到场。

这个新项目占地约107,000平方英尺（约9,940平方米），规划建造一座光罩制造工厂和一座配套的公用事业大楼。它的落成将进一步巩固该厂作为英特尔光罩主力生产基地的地位。

新工厂将具备为深紫外（DUV）和极紫外（EUV）光刻，以及从32nm到1.4nm级的多种工艺制程节点生产6英寸×6英寸光罩的能力。不过，真正的主战场是英特尔18A、18A-P、14A等前沿制程技术——这些先进工艺依赖DUV、EUV乃至未来的高数值孔径（High-NA）EUV光刻工具，因此需要更尖端的光罩，比如具备极高图案密度、采用曲线光学邻近效应修正（OPC）技术的曲面几何形状光罩。

在全球范围内，英特尔是为数不多拥有先进光罩制造厂的芯片制造商之一。这可不是一个小优势：一款尖端芯片可能需要数百个光罩，而任何一个光罩上的瑕疵，都足以让整条生产线陷入困境。

更要紧的是，随着EUV光刻层的引入，光罩的自主生产能力正变得愈发关键——因为EUV光刻工具在使用过程中会逐渐损伤光罩（即便有保护薄膜防护），所以能在短时间内快速更换新光罩，就成了保障生产连续性的核心能力。这几乎是只有自建光罩厂才能玩转的“快速反应部队”。

值得单独提一句：英特尔是目前唯一一家自主开发光罩写入设备的半导体厂商，这个活儿由旗下的IMS纳米制造公司负责。传统上，光罩图案化依赖单电子束直写工具，速度慢得像老牛拉车；而IMS生产的多束光罩写入机（MBMWs）能同时发射多达262,144束独立编程的电子束进行写入，在维持纳米级精度的同时，吞吐量提升了数个数量级。

“几十年来，圣克拉拉一直是英特尔许多最重要制造创新的发源地，”英特尔代工业务副总裁兼光罩运营总经理Frank Abboud博士表示。“此次扩大鲍尔斯园区的光罩生产能力，是在加强一项支撑全球先进制程技术生产的关键能力，同时强化英特尔代工业务致力于推动美国半导体制造领导地位的承诺。”

英特尔的Bowers园区自1986年起便专注于光罩生产，与俄勒冈州希尔斯伯勒的工厂共同构成了英特尔主要的光罩制造基础设施。可以想见，这条产业链上的动作，往往是整个半导体制造格局变化的先行信号。