三星重启1.4nm!

在1.4纳米这个制程节点上，英特尔和台积电现在确实是跑在最前面的两家。别看他们的技术底层架构差别不小——一个用的是自家工艺路线，另一个完全是代工逻辑——但两家最新推出的工艺，命名上却殊途同归，都收拢到了“1.4纳米”这个制程档位上。台积电那边的A14制程工厂，计划明年就要正式投产了；而英特尔这边，市场需求实在太火爆，他们也坐不住了，打算加快14A工艺的推进速度。泰瑞达晶圆厂、苹果这些核心客户，早就提前排好了队，等着产能分配。

不过，三星那边最近也有了新动作。有消息说，他们已经悄悄重启了代号SF1.4的1.4纳米晶圆代工工艺研发计划。这个项目原本定在2027年量产，但最新调整后的时间表，已经往后推到了2029年。

说起来，三星电子这款准备推向市场的1.4纳米工艺，最初确实是规划明年就投产的。但现在看来，三星的策略很明确：先把手里2纳米（SF2）和改良版2纳米工艺（SF2P）这两个王牌打磨好。推迟1.4纳米的量产时间，目的就是为了集中优势资源，把2纳米系列的市场竞争力彻底夯实。

当然，研发也没有停。三星正在联合海内外的供应链合作伙伴，一起推动配套制程设备的研究和开发，为SF1.4工艺的最终落地铺路。首批全新的设备，将直接交付到三星最顶级的半导体研发中心——NRD-K。应用材料、泛林半导体这些巨头，是三星在这个环节的核心合作厂商。

从路线上看，三星之前暂缓1.4纳米的研发，初衷就是先把资源集中到SF2、SF2P这些2纳米工艺上。事实也证明，2纳米系列的良率表现确实更稳定，后端的生产线配套也早就优化到位了。相比之下，1.4纳米工艺几乎得从头搭建一条完整的产线，还得采购新一代的高端设备，所以重启这个项目，确实需要花更长的时间。

说到设备，极紫外光刻机领域的龙头ASML，已经向三星的NRD-K研发中心交付了高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻机。从目前的布局来看，三星大概率会把这台设备优先用在1.4纳米制程上。而且，三星的野心不止于逻辑工艺——他们还规划了下一代V12闪存的研发，目标是在2030年前投产；再往后，到了2030年及以后，三星还打算通过多层堆叠技术，去冲击千层以上的闪存架构。

英特尔这边，最近也宣布启动了18A-P工艺的试产，这算是18A的迭代版本，性能指标上更进了一步。有意思的是，台积电目前还没有引入高NA EUV设备，这一点，或许会成为三星相对台积电的一个竞争优势。不过别小看台积电，他们也在紧锣密鼓地研发比A14更早的A16工艺。总的来看，英特尔和台积电的1.4纳米级工艺，落地时间会比三星提前一年左右。也正是在这个背景下，三星定在2029年量产的1.4纳米工艺，就成了他们在晶圆代工板块上，与两大巨头掰手腕的关键战略筹码。