铠侠宣布旗下车载 UFS 4.0 嵌入式闪存在业界率先获得 ASPICE CL2 认证

苹果与铠侠签署为期3-5年的NAND闪存长期供应协议，且可能不设价格上限。此举旨在应对AI数据中心需求激增导致的芯片供应紧张，从单纯压价转向确保稳定供货。

三星发布了UFS5.0存储芯片，其顺序读取速度可达10.8GB/s，顺序写入速度可达9.5GB/s，性能相比于UFS4.1实现了翻倍提升，能效提升幅度超过40%，封装尺寸缩小了16.7%，最高提供了1TB容量，专门瞄准端侧AI运算，计划于今年第四季度进行大规模量产。

IT之家 8 月 3 日消息，Kioxia（铠侠）宣布，将在当地时间明日开幕的 FMS 2026 峰会上，正式展示其基于 XL-FLASH 存储级内存（SCM）的 CXL 内存扩展模块 KIOXIA XL1。XL-FLASH 是铠侠开发的一种高性能非易失性 3D NAND。其采用 16 平面架构，字

铠侠已出货UFS5.0嵌入式闪存商业样品，预计2026年底量产。该产品基于BiCS8NAND与自研主控，提供512GB和1TB容量，采用更紧凑封装。顺序读取速度达每秒十吉字节，写入速度达每秒九吉字节，并优化能效与热管理，面向高性能移动设备。

铠侠出货第九代BiCSFLASH3D闪存1TbTLC样品，采用230层存储阵列，接口速率4.8Gb/s，面向中低容量、高性能及能效场景，与侧重未来大容量的第十代产品形成差异化布局。

近日，铠侠已出货最新一代UFS5.0嵌入式闪存商业样品，基于第八代BiCSNAND闪存，可提供512GB与1TB两种容量规格，其顺序读取速度达10GB/s，而顺序写入速度达9GB/s，且封装尺寸更小，能效与热管理性能均进一步提升，预计2026年底量产。

ChinaJoy 2026，铠侠将在E6-E501展位带来全新亮相。作为全球闪存与SSD领域的头部玩家，这次铠侠将以「“5”力擎动·智启新境」为主题，硬核产品、互动体验、丰厚福利三管齐下——你准备好了吗？核心产品：PCIe 5.0全线出击这一次，铠侠把旗下PCIe 5.0 SSD全产品矩阵搬到了展台

6月23日消息，三星电子正式发布了新一代UFS 5.0闪存解决方案，官方称之为“业界速度最快”——这个头衔，从参数上看确实不虚。 先看核心数据：顺序读取速度最高可达10.8GB/s，顺序写入速度则是9.5GB/s，相比上一代UFS 4.1，两项指标均实现翻倍。这意味着什么？大型应用的加载时间、端侧A

三星推出业界首款UFS5.0闪存，基于第九代V-NAND技术，顺序读取达10.8GB/s，写入达9.5GB/s，能效较前代提升40%，引入时钟门控与多电压调控。封装尺寸缩减16.7%，最高1TB容量，计划2025年第四季度量产，首批用于旗舰手机、XR头显及AI可穿戴设备。

铠侠EXCERIAG3SSD系列新增4TB型号，基于第八代BiCSFLASH3D闪存技术，采用2TbQLC存储器，顺序读写达10000/9600MB/s，提供1TB/2TB/4TB容量，6月底上市。