美光HBM4量产加速 HBM4E明年投产

最近行业里有个消息挺值得关注：美光科技那边，第六代高带宽内存HBM4的产能爬坡，速度比去年搞HBM3 12层产品时快了一倍，良率也跟着上来了。这事儿是美光全球运营副总裁在摩根大通的会议上透露的，而且明确说了，这代产品会用在英伟达下一代Rubin AI计算平台上。

为什么能提速这么快？说到底，还是前面HBM3和HBM3E的量产经验攒下了底子。这次HBM4的核心DRAM用的是已经相当成熟的1β工艺，也就是他们的第五代10纳米技术，再搭配上自家设计的基底芯片，性能和稳定性自然就上了一个台阶。

不过，更有意思的布局还在后头。按照规划，再下一代的HBM4E会有个战略上的调整：核心DRAM会升级到首次引入EUV光刻技术的1γ工艺，也就是第六代10纳米。但基底芯片这块，美光不打算自己做了，准备转交给台积电来代工。目标是2027年实现量产，首批会是符合JEDEC标准的产品，同时定制版本的开发也会同步推进。

当然，市场竞争从来不会停歇。差不多的时间窗口里，三星的HBM4E预计2026年第二季度就能送样，基底芯片他们选择自己生产；SK海力士则计划在2026年下半年送样，2027年量产，基底芯片会采用台积电的3纳米工艺。而美光自己的路线图是，到2026年年中，基于1γ工艺的DRAM和第九代NAND的出货量，要占到总产能的一半以上。可以说，1γ工艺将成为美光DRAM产品线中绝对的主力。