传闻三星研发新一代 HBM 以支持高性能 AI 手机
三星研发新一代HBM技术,采用多层堆叠扇出型晶圆级封装,通过提升铜柱高宽比与引入FOWLP工艺增强稳定性,以解决现有LPDDR内存带宽不足与散热限制。该技术有望提升带宽15%-30%,推动高性能端侧AI在手机等设备运行,未来或应用于Exynos处理器。
上周,一则来自韩媒Etnews的消息在半导体圈内引起了不小的讨论。报道称,三星电子正着手开发下一代HBM技术,目标直指一个更具挑战性的领域:让更高性能的端侧AI在智能手机、平板电脑等移动设备上成为现实。

据业内人士透露,三星研发的核心是一种名为“多层堆叠扇出型晶圆级封装”(Multi Stacked FOWLP)的技术。其野心很明确:在寸土寸金的移动设备内部,实现更大容量、更高带宽的HBM内存集成。要知道,手机或平板的空间与服务器机柜相比,堪称天壤之别,对功耗和发热的控制更是苛刻到极致,直接套用现有的数据中心HBM方案根本行不通。
那么,现有的移动内存方案卡在哪里了呢?目前主流的LPDDR内存普遍采用引线键合(Wire Bonding)技术。这套方案虽然成熟,但其I/O数量有限、信号损耗较大、散热效率也捉襟见肘,这些特性让它难以与对带宽和能效要求极高的HBM技术结合。
为此,三星将目光投向了改进的垂直互连结构方案。具体来说,是计划将芯片内部的铜柱高宽比从现有的3:1到5:1,大幅提升至15:1到20:1。这就像是在有限的地基上,建造更高、更密集的“信号塔”,从而在同样狭小的芯片面积内,塞入更多用于数据传输的铜线,最终实现带宽的飞跃。
然而,技术升级的道路从来都不是一帆风顺的。当铜柱的直径被压缩到10微米以下时,新的问题出现了:它们变得容易弯曲甚至断裂,稳定性大打折扣。为了解决这个棘手的难题,三星引入了FOWLP技术作为“补强支架”。
这套工艺的思路颇为巧妙:先对芯片进行模塑封装,形成一个稳固的基底,然后将内部的布线层向外围区域扩展。这些扩展出来的部分,不仅能承载更多的电路连接,还能为那些纤细的铜柱提供物理支撑,有效防止其在制造和使用过程中发生变形,从而保障了整个结构的可靠性。
如果这套组合拳般的技术方案最终通过验证,其收益将是可观的。理论上,内存带宽有望提升15%到30%。更重要的是,它能在相同的物理空间内,集成更多的I/O接口,为未来移动端AI处理更复杂、数据量更大的任务铺平道路。
当然,这一切目前还处于研发阶段。但业内的观察家们已经给出了预测:我们最快或许能在三星Exynos 2800的后期修订版本,或者接下来的Exynos 2900处理器中,看到这项技术的初步应用。届时,移动设备的AI算力边界,很可能将被再次刷新。
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