英伟达又“带飞”一股：纳微半导体盘前暴涨24%，押注800V AI电源革命

纳微半导体盘前大涨，AI电力基础设施赛道再添新玩家

最近半导体圈有个事挺值得关注——纳微半导体股价在盘前交易中大幅攀升，成为AI基础设施投资热潮的最新受益者。消息的催化剂来自公司宣布与英伟达MGX生态系统合作，共同推进800 VDC的人工智能基础设施建设。

具体来说，纳微半导体5月29日参加了英伟达在中国台北南港展览中心举办的合作伙伴典礼，同时在COMPUTEX 2026展会上公开展示了其800 V至6 V直流-直流电源分配板（PDB）。这款产品专门为AI数据中心的800 VDC机架架构设计，目标是优化系统效率和功率密度。

公司CEO Chris Allexandre的表态也很直白：随着AI工作负载持续扩张，电力传输已经成为构建下一代吉瓦级AI工厂最棘手的挑战之一。

消息一出，纳微半导体股价盘前涨幅超过22%。要知道，这只股票过去一年已经累计上涨了335%，年初至今涨幅也达到262%，目前市值约为62.1亿美元。

消除中间转换环节，直攻GPU供电

纳微半导体这次展示的800 V至6 V电源分配板，是它参与英伟达MGX生态系统的拳头产品。

这款产品最核心的看点在于——它直接砍掉了计算服务器托盘内传统的48 V中间总线转换器（IBC）环节。少了这一层中间转换，系统效率、可靠性都有望提升，同时还能省下宝贵的机箱空间。

从技术指标来看，这块电源分配板搭载了16颗GaNFast场效应管，额定电压650 V、导通电阻11毫欧，采用最新的DFN8×8双面散热封装。目标峰值效率达到97.5%，工作开关频率为1 MHz，功率密度高达2100 W/in³。

更值得注意的是，这块板的厚度比手机还要薄约20%。超薄的外形设计允许它与GPU板实现极近距离集成，从而最大化瞬态性能并提升配电效率。

宽禁带半导体组合：覆盖从电网到GPU的全链路供电

纳微半导体这次拿出来的不只是一块板子，而是一整套覆盖AI工厂全链路供电需求的宽禁带（WBG）半导体技术组合。

在碳化硅（SiC）这条线上，公司的GeneSiC解决方案支持从电网到AI计算机架的高效电力传输。具体产品包括采用2300 V和3300 V SiC功率模块的固态变压器，以及基于第五代技术1200 V SiC MOSFET的高功率三相电源供应单元。

在氮化镓（GaN）方向，GaNFast技术凭借MHz频率运行能力、更高功率密度和更快的瞬态响应，支持从机架级直接向GPU高效传输电力。截至目前，公司已拥有逾300项已授权或待审专利。

股价强势背后：营收超预期，但估值争议犹存

纳微半导体近期股价的强劲表现，部分得益于基本面的边际改善。

公司此前公布的2026财年第一季度营收为860万美元，超出市场预期的818万美元。但另一边，每股亏损为0.15美元，明显差于市场预期的亏损0.05美元。

与此同时，公司近期完成了一笔规模1.22亿美元的按市价发行股票融资，与Craig-Hallum Capital Group LLC及瑞银证券签署销售协议，最高可发行1.25亿美元A类普通股。募集资金预计将用于支持公司在高功率市场及AI基础设施领域的战略布局。

但必须警惕的是，有分析指出，在股价年内已大幅攀升的背景下，该股目前相对其公允价值估算存在高估。换句话说，市场已经把不少利好提前定价进去了。