我国成功研制出三维多层片上电容，可直接应用于AI / GPU芯片等
湖北江城实验室成功研制出三维多层片上电容，电容密度突破每平方毫米1000纳法，可直接集成于AI/GPU芯片。该技术满足高算力低功耗需求，已开展工艺流片及小批量试产，下一步将规模化应用于先进封装领域。
说几个关键点。半导体行业的各位，有个事儿值得关注——就在今天，上海证券报报道了一个消息：湖北江城实验室在电容技术上搞了个大动作。他们成功研制出三维多层片上电容，电容密度直接突破了每平方毫米1000纳法的大关。
这类电容可以直接集成到AI/GPU芯片或高性能处理器里，对于支撑高算力、低功耗的芯片研发来说，这才是关键所在。
这款片上电容的设计思路是直接做在芯片内部或紧邻的硅基板内。越靠近核心，就越能满足AI芯片纳秒级大电流瞬态响应的需求。换句话说，它天生就是为高性能计算准备的，目标客户自然也指向了国内的CPU、GPU、手机处理器等芯片厂商。
目前，这项技术已经在开展工艺流片及小批量试产，下一步就是要在先进封装领域实现规模化应用了。
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全球AI竞争关键不在GPU芯片，而在于构建主权知识体系、留住人才并培育本土创新生态。各国应将AI转化为国家发展的公共能力，摆脱对外部平台依赖，方能实现发展自主权。
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