进一步增强逻辑性能：三星计划在HBM5内存导入2nm基础裸片

구자흠还透露了一个值得关注的数字：HBM5的运行速率预计将比HBM4E提升50%以上。这意味着什么？基础裸片需要支持更高密度的硅通孔（TSV），才能满足行业对带宽和容量的持续需求。选择2nm作为基础裸片工艺，目标很明确——在性能和能效两个维度上同时实现质的飞跃。

说到这儿，不妨回顾一下三星在HBM4和HBM4E上的布局。这两个版本都配备了4nm基础裸片，但细节上并不相同。三星充分发挥了其4nm节点的灵活性，在HBM4E基础裸片上引入了高密度、超高性能器件，成功实现了14+ Gbps的高速运行。同时，金属层的重新排列不仅降低了功耗，还优化了散热路径。这些经验，显然为HBM5的2nm路线打下了基础。