进一步增强逻辑性能:三星计划在HBM5内存导入2nm基础裸片
三星计划在HBM5内存中采用2nm工艺制造基础裸片,运行速率较HBM4E提升50%以上。此举旨在通过更高密度硅通孔满足带宽需求,同时实现性能与能效的显著提升。此前HBM4E基于4nm工艺已实现14+Gbps高速运行。
구자흠还透露了一个值得关注的数字:HBM5的运行速率预计将比HBM4E提升50%以上。这意味着什么?基础裸片需要支持更高密度的硅通孔(TSV),才能满足行业对带宽和容量的持续需求。选择2nm作为基础裸片工艺,目标很明确——在性能和能效两个维度上同时实现质的飞跃。
说到这儿,不妨回顾一下三星在HBM4和HBM4E上的布局。这两个版本都配备了4nm基础裸片,但细节上并不相同。三星充分发挥了其4nm节点的灵活性,在HBM4E基础裸片上引入了高密度、超高性能器件,成功实现了14+ Gbps的高速运行。同时,金属层的重新排列不仅降低了功耗,还优化了散热路径。这些经验,显然为HBM5的2nm路线打下了基础。
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