摩根士丹利：谷歌Frozen v2芯片不会采用台积电CoWoS封装

摩根士丹利最近发布的一份研报，透露了一个很有意思的动态：谷歌自研的Frozen v2芯片，可能不会走台积电CoWoS封装这条路，而是打算把SRAM直接集成到芯片硅片上。

这就很有意思了。目前行业里普遍认为，台积电的CoWoS封装更适合高性能AI芯片，而英特尔的EMIB-T则被看作是中高端AI芯片的优选。但谷歌这次的选择，似乎要打破常规——直接跳过封装，把静态随机存取存储器（SRAM）塞进芯片硅片里。

这么做的优势很明显：极高带宽、超低延迟，数据传输效率直接拉满。但代价也不小——裸片面积会增大，功耗和散热问题也会随之变得棘手。

其实，这种方案并不是谷歌的首创。今年早些时候，人工智能芯片制造商Taalas就推出过类似的设计。更狠的是，Taalas还把神经网络权重直接硬编码到硅芯片上，彻底消除了内存到计算机的数据传输瓶颈。不过，这种做法的致命缺陷也很明显：每次推出一个相比前代有显著升级的新AI模型，都得重新设计一颗芯片，灵活性大打折扣。

根据摩根士丹利的预估，谷歌Frozen V2最快明年就能进入早期生产阶段，2028年有望实现量产。至于合作伙伴，美满（Marvell）被认为是最有可能的人选。