Samsung发布256GB SD Express microSD存储卡，读取速度高达800MB/s，计划年内推出

本站 2 月 28 日消息，三星电子今日宣布，已开始向客户提供其 256GB SD Express microSD 存储卡样品，该款存储卡顺序读取速度最高可达 800MB/s。此外，1TB UHS-1 microSD 存储卡现已进入量产阶段。

“来自移动计算和端侧人工智能应用的需求与日俱增，三星推出的这两款全新 microSD 卡为应对这一问题提供了有效解决方案。”三星电子品牌存储事业部全球副总裁 Hangu Sohn 表示，“尽管存储卡尺寸极小，但能够带来 SSD（固态硬盘）级别的强大性能和超大容量，帮助用户充分利用要求严格的现代和未来应用。”

三星首款 SD Express microSD 存储卡

三星推出了采用 SD Express 接口的全新 microSD 卡，号称“能够以小巧外形尺寸提供与 SSD 相媲美的性能”。

三星表示，传统 microSD 存储卡采用 UHS-1 接口，读取速度上限为 104MB/s，而 SD Express 系列产品的最大读取速度可达 985MB/s，但截至目前，SD Express microSD 存储卡尚未投入商用。

本站注：SD Express 是全新 SD 存储卡接口，支持 PCIe Gen3x1协议（基于 2019 年 2 月发布的 SD 7.1 规范），理论传输速度可达 985MB/s。

三星称其 SD Express microSD 存储卡的顺序读取速度可达 800MB/s，是 SATA SSD（最高 560MB/s）的 1.4 倍、传统 UHS-1 接口存储卡（最高 200MB/s）的 4 倍以上，能够在 PC 和移动设备等多种应用端得到更好的计算体验。

为确保 SD Express microSD 存储卡性能稳定、质量可靠，三星采用了动态散热保护（Dynamic Thermal Guard）技术，号称“即使长时间使用，也能确保存储卡温度始终处于理想水平”。

1TB UHS-1 microSD 存储卡

三星在全新 1TB microSD 存储卡上堆叠了八层三星第 8 代 1Tb V-NAND，实现了大容量封装。全新 1TB microSD 存储卡已通过测试，号称具备防水、耐极端温度、防摔、防磨损、防 X 射线和防磁等六重防护特性。

256GB SD Express microSD 存储卡将于今年内推出，1TB UHS-1 microSD 存储卡预计将于今年第三季度投入市场。