SK海力士：已向主要客户供应12层HBM4E样品

今天要聊的消息来自SK海力士——他们正式宣布，已向主要客户交付了12层HBM4E样品。这是面向AI的下一代超高性能DRAM，可以说，在HBM这条赛道上，又往前推了一大步。

SK海力士在官方声明中强调，凭借多年积累的HBM先导开发能力和量产经验，他们得以成功向客户提供12层HBM4E样品，接下来将紧锣密鼓地与主要客户协作，确保按时进入量产阶段。

那么，这代产品到底强在哪？直接看参数：引脚速率最高达到16Gbps，能效比上一代HBM4提升了20%以上。这意味着AI训练和推理所需的数据处理能力，得到了实质性的跃升。尤其是能效提升20%，在大规模数据中心里，这可不是小数目。

不仅如此，HBM4E还通过新一代接口和设计优化，有效降低了数据传输延迟。即便在高带宽环境下，也能保持稳定运行——这对下一代AI数据中心和大规模计算系统来说，直接意味着更高的处理效率。

从技术细节来看，SK海力士在HBM4E上采用了先进的MR-MUF工艺，通过12层堆叠实现了48GB容量，同时进一步增强了结构稳定性。与HBM4相比，热阻降低了约17%，这在高性能计算环境下是个很关键的改善——温度控制好了，性能才能持续释放。

SK海力士的CDO（开发总管）安炫社长在发言中表示，他们将把业界领先的技术竞争力和量产能力延续至HBM4E产品，夯实持续引领AI创新的基础。通过紧密的合作伙伴关系、前瞻性布局，进一步巩固“全方位面向AI的存储器创造者”的技术领导地位。这话说得挺有分量，也看得出他们在HBM这条路上的决心。