TrendForce：美光 DRAM 产能受台湾地区花莲地震影响，内存厂商纷纷停止报价
根据TrendForce的研报显示，台湾地区花莲县海域里的7.3级地震对美光在台DRAM内存生产能力可能产生影响。据称，该地区是多家上游内存原厂和下游模组厂的停产报价区域。此外，目前还不清楚影响的程度和持续时间。研报表示，美光在台湾地区部署了大量产能，于新北林口和台中均设有厂区，可生产最先进的1-beta内存。根据本站以往报道，美光未来的1-gamma制程内存也将首先在台量产。▲美光台中工厂美光公司于4日发布公告，表明所有在台员工均处于安全状态，正评估此次地震对运营和供应链造成的影响，待评估结束后将向客户
根据TrendForce的研报显示，台湾地区花莲县海域里的7.3级地震对美光在台DRAM内存生产能力可能产生影响。据称，该地区是多家上游内存原厂和下游模组厂的停产报价区域。此外，目前还不清楚影响的程度和持续时间。
研报表示，美光在台湾地区部署了大量产能，于新北林口和台中均设有厂区，可生产最先进的 1-beta 内存。根据本站以往报道，美光未来的 1-gamma 制程内存也将首先在台量产。
美光公司于4日发布公告，表明所有在台员工均处于安全状态，正评估此次地震对运营和供应链造成的影响，待评估结束后将向客户通报交付承诺变更情况。
据TrendForce集邦调查方面表明，此次地震中美光林口厂受到的影响较大，发生了机台停机，仍需数日才能完全恢复运作。
此外台 DRAM 内存生产企业南亚科技位于新北市的 Fab3A 厂也遭受了影响。
研报指出，美光在震后率先停止了 DRAM 报价，并计划在损失评估完成后再次启动本季度的内存合约价谈判。
三大DRAM内存厂三星电子和SK海力士虽然台DRAM产能，也同步停止报价，计划观望后市动向。此外威刚等台湾地区内存模组厂也闻讯跟进停止报价。
整体来看，目前 DRAM 内存市场现货充足，现货需求疲软，因此短期而言价格会有小幅上涨，但涨价延续性有待观察。
英伟达发布定制HBM技术NVHBM，通过集成内存控制器至HBM基础裸片，实现带宽较HBM4E提升30%、功耗降低15%，并释放主芯片25%空间。亚马逊Annapurna Labs为首个合作伙伴，该技术旨在通过标准化方案加速定制AI芯片开发，而非取代通用HBM。
AMD因用户强烈反弹，将为消费级Ryzen处理器恢复TSME内存加密功能。此前该功能被AGESA微码悄然关闭，仅保留在PRO等高端产品线，而英特尔竞品仍开放类似功能。AMD将通过UEFI固件更新，自2026年7月起由主板厂商发布BIOS恢复该选项。
消费级DRAM供给紧缩，三大原厂优先HBM与服务器内存，DDR4投片缩减。需求转向DDR2/DDR3，DDR2合约价二季度涨55%-60%，三季度再涨35%-40%。品牌厂与ODM厂降级使用，缺货压力向下传导。
杰富瑞研报预测，2026年Q3全球存储芯片价格环比涨40%-50%，Q4涨30%-40%，2027全年均价同比涨约40%-45%，降价或始于2028年，届时跌幅15%-20%。
二手交易平台出现大量低价假DDR5内存，号称SK海力士16GB仅售179元。拆解发现颗粒内部为空壳，无硅芯片，仅靠胶水与焊锡伪装。上机无法通过自检，可能损坏其他硬件。提醒存储芯片涨价期间，切勿贪图便宜。
美光首席商务官SumitSadana指出，部分客户在行业低谷期采取激进压价策略，导致内存厂商利润极其微薄且失去扩产投资能力，间接加速了当前供应紧张局面的恶化，形成恶性循环并严重损害产业链稳定。
央视报道，深圳华强北内存条价格近期暴涨，DDR5单条两天内涨约300元，DDR4涨幅温和。存储成本占整机物料已从15%升至30%以上，高端机型超35%，行业利润逻辑面临调整。
美光首席执行官批评苹果定价策略，芯片从五美元涨至五十美元，苹果却对消费者加价二百五十美元。美光高管指出，部分客户激进压价导致行业投资受阻。随后苹果因内存短缺上调Mac电脑和iPad平板价格。
在2026年国际高性能计算大会上，联想指出AI需求使DRAM和NAND价格高位运行，2030年前难以回落至2025年初水平。扩产仅能缓解缺口，美光、三星等厂商同样面临供应紧张。内存条、固态硬盘及依赖存储芯片的电子产品价格将长期居高不下。
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