三星电子宣布量产业界最薄 LPDDR5X 内存封装，较上代厚度减少约 9%
本站8月6日消息，三星电子今日宣布启动业界最薄的LPDDR5X内存封装量产。该新产品封装高度为0.65mm，较上代产品的0.71mm降低约9%，耐热性能提升了21.2%。三星电子本次推出的LPDDR5X内存封装基于12nm级LPDDRDRAM，采用了4堆栈、每堆栈2层的结构设计，提供12GB、16GB两种容量版本。在制造该内存封装的过程中，三星电子优化了PCB和环氧树脂模塑料（本站注：EpoxyMoldingCompound，简称EMC）技术，并结合了晶圆背面研磨工艺，使其成为最薄的12GB及以上容量LP
本站 8 月 6 日消息，三星电子今日宣布启动业界最薄的 LPDDR5X 内存封装量产。该新产品封装高度为 0.65mm，较上代产品的 0.71mm 降低约 9%，耐热性能提升了 21.2%。
三星电子本次推出的 LPDDR5X 内存封装基于 12nm 级 LPDDR DRAM，采用了 4 堆栈、每堆栈 2 层的结构设计，提供 12GB、16GB 两种容量版本。
在制造该内存封装的过程中，三星电子优化了 PCB 和环氧树脂模塑料（本站注：Epoxy Molding Compound，简称 EMC）技术，并结合了晶圆背面研磨工艺，使其成为最薄的 12GB 及以上容量 LPDDR DRAM 模组。
更低的封装高度，加上更优异的耐热能力，可为移动设备提供更多通风空间，进而提升设备整体的散热效果，最终在高负载的设备端生成式 AI 应用中实现更佳表现。
三星电子内存产品规划执行副总裁 Bae YongCheol 表示：
三星的 LPDDR5X DRAM 为高性能设备端 AI 解决方案树立了新标准，不仅提供了卓越的 LPDDR 性能，还在超紧凑封装中实现了先进的热管理。
我们致力于通过与客户的密切合作不断创新，提供满足 LP DRAM 市场未来需求的解决方案。
三星电子计划未来将超薄型 LPDDR DRAM 内存封装扩展到 6 堆栈 24GB、8 堆栈 32GB 的模组上来。
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三星晶圆代工业务2026年上半年平均产能利用率预计回升至60%，较2025年下半年提升10个百分点，但仍低于80%盈亏平衡线。Exynos2600芯片代工订单成为2nm产线关键支撑，8nm节点为任天堂Switch2量产SoC并接近敲定英特尔PCH芯片组合作，4nm节点客户Rebellions有望扩大订单，共同拉动产线开工率。
三星晶圆代工获得Neuralink第四代芯片订单，采用4nm工艺，目标2027年底量产，试产已于5月启动。该合作深化了三星与马斯克的关联，此前三星已为特斯拉代工AI芯片。三星代工业务持续亏损，但有望在2027年扭亏为盈。
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