台积电推进 2nm 工艺，消息称首部机台 2024 年 4 月进厂
本站12月16日消息，根据集邦咨询报道，台积电正在积极推进2nm工艺节点，首部机台计划2024年4月进厂。新竹科学园区管理局长王永壮昨日宣布，竹科宝山一期已建设完成，台积电全球研发中心今年启用。而宝山二期工程目前正在建设过程中，同时推进台积电2nm工艺一厂和二厂，建成之后将成为台积电的第一家2nm工艺生产基地，目前各项建设工作进展顺利，首部机台预期将于2024年4月进厂。据本网站此前报道，台积电和三星均计划于2025年开始批量生产2纳米工艺芯片，两家公司的早期竞争已经开始报道称台积电已经向苹果、英伟达等主
本站 12 月 16 日消息，根据集邦咨询报道，台积电正在积极推进 2nm 工艺节点，首部机台计划 2024 年 4 月进厂。
新竹科学园区管理局长王永壮昨日宣布，竹科宝山一期已建设完成，台积电全球研发中心今年启用。
而宝山二期工程目前正在建设过程中，同时推进台积电 2nm 工艺一厂和二厂，建成之后将成为台积电的第一家 2nm 工艺生产基地，目前各项建设工作进展顺利，首部机台预期将于 2024 年 4 月进厂。
据本网站此前报道，台积电和三星均计划于2025年开始批量生产2纳米工艺芯片，两家公司的早期竞争已经开始
报道称台积电已经向苹果、英伟达等主要客户展示了 2nm 工艺原型测试结果；而三星也跟进推出了 2nm 原型，而且为了吸引英伟达在内的知名客户，将提供了更低廉的价格。
高通的下一代旗舰芯片将采用三星的“SF2”（2nm）工艺。作为去年全球第一家大规模生产 3nm （SF3） 芯片的公司，三星也是采用新型全环绕栅极 （GAA） 晶体管架构的先驱。
Marvell总裁透露，计划在下一代AI数据中心芯片中采用台积电A14制程。该制程性能提升15%或功耗降低30%，逻辑密度增加20%以上，预计2028年量产。公司已率先使用3nm、2nm制程，并预付10亿美元锁定先进制程产能。
台积电正加速新一代CoPoS封装技术开发，以矩形基板替代传统晶圆，提升面积利用率至90%以上，从而封装更大尺寸芯片并降低单位成本20%-30%。该技术计划2027年试产，2028年量产，玻璃基板预计2030年前后应用。此举旨在满足AI与高性能计算需求，巩固其在先进封装领域的领先地位。
市场调研机构数据显示，英伟达稳居台积电CoWoS产能最大客户，2027年其数据中心营收预计增长52%；AMD加速追赶，EPYCVeniceCPU出货量预计达675万颗。全球CoWoS需求爆发，预计2027年将达269.4万片，台积电计划扩产至月产能20万片以满足AI芯片旺盛需求。
台积电计划下半年上调3nm晶圆代工价格，明年可能继续涨，主要受AI与高性能计算需求推动。大部分制程节点也将调价，包括7nm，原因是EUV光刻成本上升及先进封装工艺变贵。整体涨幅5%至10%，毛利率有望提升两个百分点，部分成熟制程或跟进。
三星曾将1.4nm工艺量产延至2029年，如今重启项目并安装ASMLHigh-NA光刻设备提前布局。台积电计划2028年、英特尔计划2029年量产1.4nm，三星量产时间可能稍晚，此举旨在缩小与台积电差距并应对AI芯片对先进制程的高要求。
三星披露1.4nm及1.4nm+工艺进展，1.4nm计划2029年量产，1.4nm+计划2030年投产。相比台积电2028年量产1.4nm，三星仍有一年追赶期。通过设计与工艺协同优化（DTCO）提升良率，此前已在2nmGAA应用并降低功耗26%。同时推进第三代2nmGAA节点，预计2027或2028年量产。苹果后续芯片可能转向1.4nm，或成为三星代工突破口
Marvell正与台积电洽谈导入A14制程，预计2028年量产，较N2性能提升10-15%，功耗降25-30%，逻辑密度增超20%。公司强调能效对DSP芯片至关重要，此前曾从16nm直接跳级到5nm。
Socionext基于台积电A14制程开发面向AI数据中心的高性能计算芯片，计划今年9月完成测试流片，旨在验证XPU架构在1.4nm节点上的可扩展性。A14作为台积电N2之后的新一代GAA工艺，预计2028年量产，相较N2实现速度、功耗与逻辑密度的全面提升。
英特尔计划推出14A2工艺，采用双面供电架构并压缩金属间距至21纳米，以应对台积电和三星的1.4纳米攻势。此举可提升晶体管密度，但面临电阻增加等挑战，需借助复合供电方案维持稳定。
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