ASML宣布明年推出适用于2nm芯片制造的高NA光刻机，英特尔已订购6台

英伟达发布定制HBM技术NVHBM，通过集成内存控制器至HBM基础裸片，实现带宽较HBM4E提升30%、功耗降低15%，并释放主芯片25%空间。亚马逊Annapurna Labs为首个合作伙伴，该技术旨在通过标准化方案加速定制AI芯片开发，而非取代通用HBM。

Arm在Hot Chips 2026发布首款AI专用数据中心CPU“Arm AGI CPU”，由Meta联合开发。该芯片采用台积电3nm工艺，双芯粒设计，每芯粒70个Neoverse V3核心（屏蔽4个后单芯片136核），TDP 300W，支持DDR5-8800及PCIe 6.0。旨在解决x86在AI算力与能效上的瓶颈，预计2027-2028财年推向市场。

英特尔计划2027上半年推出RaptorLakeNext处理器，沿用LGA1700平台并支持DDR4内存。因DDR4需求回升，主板厂商正增加相关主板产量。同时，AMD也重返DDR4市场，推出R75800X3D。这显示两大厂商均重视DDR4市场，顺应趋势，为用户提供更多选择并降低升级成本。

英特尔RaptorLakeNext属Core200系列，2026年底出QS样品，2027年1月底量产。桌面端含酷睿7（8P+12E65W）、酷睿5（8P+8E125W及新6P+4E65W配24MBL3）和酷睿3（4P+0E65W），维持LGA1700，优化缓存与核心组合。

美股芯片股盘前全线走强，美光科技涨近5%，阿斯麦涨4.5%，迈威尔科技涨4%，英特尔涨3.5%，台积电涨约2%。在震荡市场中，芯片板块表现亮眼，主要受人工智能需求及行业前景提振。

美股芯片板块全线拉升，费城半导体指数涨超5%。特朗普宣布苹果、英伟达同意与英特尔合作，马斯克同意建造全球最大芯片工厂，带动英特尔盘中大涨近12%。多只芯片股涨幅超6%，存储板块亦集体走高。

美股周四强势反弹，三大指数集体上涨，纳指涨1.91%，芯片股领涨，英特尔暴涨10.64%创阶段新高。受美联储加息预期打压，贵金属全线走低，黄金白银双双下挫。中概股普遍下跌，纳斯达克金龙指数跌幅0.88%。市场情绪回暖。

美股三大指数收涨，纳指涨1.91%；费城半导体指数飙升6.42%，英特尔、美光科技等多只芯片股创收盘历史新高。中概股表现分化，纳斯达克中国金龙指数跌0.88%。

隔夜6月19日美股三大指数全线收涨，纳指涨近2%。费城半导体指数暴涨6.42%创历史新高，英特尔、美光等芯片股亦创历史新高。亚马逊涨2.9%，SpaceX跌3.57%。中概股走势分化，金龙指数下跌0.88%，日月光半导体大涨8.7%。市场情绪高涨，半导体板块领涨。

美国商务部担忧ASML的极紫外光刻机可能通过第三国转口等方式绕过出口管制流入中国。ASML反驳称其产量极为有限且需持续专业维护才能正常运行，并强调从未向中国出售过任何EUV设备或相关部件。