三星电子泰勒逻辑厂开始调试光刻机 平泽DRAM厂已下设备订单

三星晶圆代工业务2026年上半年平均产能利用率预计回升至60%，较2025年下半年提升10个百分点，但仍低于80%盈亏平衡线。Exynos2600芯片代工订单成为2nm产线关键支撑，8nm节点为任天堂Switch2量产SoC并接近敲定英特尔PCH芯片组合作，4nm节点客户Rebellions有望扩大订单，共同拉动产线开工率。

三星晶圆代工获得Neuralink第四代芯片订单，采用4nm工艺，目标2027年底量产，试产已于5月启动。该合作深化了三星与马斯克的关联，此前三星已为特斯拉代工AI芯片。三星代工业务持续亏损，但有望在2027年扭亏为盈。

三星晶圆代工发布2027年多项目晶圆服务计划，首次将2nm节点纳入，覆盖第一季度至第三季度。4nm全年开放，5nm、8nm等制程亦排布，12英寸晶圆共安排18次MPW服务，为客户提供先进制程流片机会。

三星电子HBM4内存销售额突破10亿美元（约67.87亿元），2026年2月量产，采用1cnmDRAM和4nm逻辑，12Hi堆叠36GB，速率13Gbps，带宽3.3TB/s。随后出样HBM4E，12Hi48GB，速率14~16Gbps，带宽3.6TB/s。

三星电子暂停8层3代高带宽内存生产，将每月15万片晶圆产能转向12层3代高带宽内存与4代高带宽内存，两者各占一半。12层已成出货主力，4代高带宽内存率先量产服务于英伟达RubinGPU。对手SK海力士、美光则手握大量3代高带宽内存订单。

三星Exynos2700移动处理器开发顺利，采用SF2P工艺，计划2026年Q4量产，目标用于GalaxyS27Ultra。若成功，将降低系统LSI和晶圆代工成本，帮助MX业务削减处理器采购开支。另悉，Exynos2600已获部分区域GalaxyS26系列及ZFlip8订单。

三星电子因库存股不足，宣布计划回购近90万亿韩元股票用于员工奖金，仅三分之一可立即套现，其余分两年解禁。这一激励计划公布后，股价大涨8.71%。

三星电子官方公众号注销，正式退出中国大陆家电市场。此前五月起已停止销售电视、冰箱等全品类家电。已购用户售后服务不受影响，手机业务正常运营。此举标志着三星家电业务正式撤离中国市场。

三星电子递交HBM新专利，采用倒金字塔式虚拟芯片结构配合深槽切割激光工艺，解决16层以上高堆叠引发的晶圆翘曲与裂纹难题，旨在将HBM5制程良率从40%–60%显著提升，并整合混合键合等工艺以增强封装综合性能。

三星电子发布HBM封装新专利，采用“深槽切割”工艺将堆叠芯片侧面加工成三级阶梯状曲面，缓解应力集中与分层开裂问题。热管理方面，粘合绝缘层底面与水平延伸面垂直距离精确控制在1至10微米，改进凸起结构减少填充料，提升散热效率。