台积电亚利桑那州第3座晶圆厂封顶 但还要多年才能投产
台积电在美国亚利桑那州的第三座晶圆厂已完成厂房封顶，进入内部装修与设备安装阶段。该厂采用2纳米及更先进制程，计划2030年前投产。从破土到封顶仅用时一年，建设速度高效。台积电在该州前三座工厂总投资已达650亿美元，是其海外扩张与全球半导体制造格局重塑的关键一步。
台积电在美国亚利桑那州的布局，正以前所未有的速度推进。继2020年宣布建设首座晶圆厂后，其后续投资计划不断加码，不仅增建了第二、第三座晶圆厂，更在去年3月宣布了再建三座晶圆厂、两座先进封装厂及研发中心的宏大计划。相应的，其在该州的总投资额也从最初的120亿美元，一路攀升至惊人的1650亿美元。
最新的进展是，台积电在亚利桑那州的第三座晶圆厂，已于本月6日完成了厂房封顶。这意味着这座备受瞩目的工厂，正式从外部结构施工转向了内部装修和设备安装的关键阶段。当天，凤凰城市长及台积电当地高管团队均出席了封顶仪式，足见各方对此项目的重视。
这座工厂的来头不小。它于2024年4月8日正式宣布建设，其战略定位是采用2纳米乃至更先进的制程工艺为客户代工晶圆，计划在2030年前投入运营。值得注意的是，从去年4月破土动工到如今厂房封顶，整个过程仅用时一年，这样的建设速度在业内堪称高效。
随着第三座工厂的尘埃落定，台积电在亚利桑那州前三座晶圆厂的总投资额已达到650亿美元。这不仅是其海外扩张的关键一步，也标志着全球半导体制造版图正在发生深刻的重塑。
Marvell总裁透露，计划在下一代AI数据中心芯片中采用台积电A14制程。该制程性能提升15%或功耗降低30%，逻辑密度增加20%以上，预计2028年量产。公司已率先使用3nm、2nm制程，并预付10亿美元锁定先进制程产能。
台积电正加速新一代CoPoS封装技术开发，以矩形基板替代传统晶圆，提升面积利用率至90%以上，从而封装更大尺寸芯片并降低单位成本20%-30%。该技术计划2027年试产，2028年量产，玻璃基板预计2030年前后应用。此举旨在满足AI与高性能计算需求，巩固其在先进封装领域的领先地位。
市场调研机构数据显示，英伟达稳居台积电CoWoS产能最大客户，2027年其数据中心营收预计增长52%；AMD加速追赶，EPYCVeniceCPU出货量预计达675万颗。全球CoWoS需求爆发，预计2027年将达269.4万片，台积电计划扩产至月产能20万片以满足AI芯片旺盛需求。
台积电计划下半年上调3nm晶圆代工价格，明年可能继续涨，主要受AI与高性能计算需求推动。大部分制程节点也将调价，包括7nm，原因是EUV光刻成本上升及先进封装工艺变贵。整体涨幅5%至10%，毛利率有望提升两个百分点，部分成熟制程或跟进。
三星曾将1.4nm工艺量产延至2029年，如今重启项目并安装ASMLHigh-NA光刻设备提前布局。台积电计划2028年、英特尔计划2029年量产1.4nm，三星量产时间可能稍晚，此举旨在缩小与台积电差距并应对AI芯片对先进制程的高要求。
三星披露1.4nm及1.4nm+工艺进展，1.4nm计划2029年量产，1.4nm+计划2030年投产。相比台积电2028年量产1.4nm，三星仍有一年追赶期。通过设计与工艺协同优化（DTCO）提升良率，此前已在2nmGAA应用并降低功耗26%。同时推进第三代2nmGAA节点，预计2027或2028年量产。苹果后续芯片可能转向1.4nm，或成为三星代工突破口
Marvell正与台积电洽谈导入A14制程，预计2028年量产，较N2性能提升10-15%，功耗降25-30%，逻辑密度增超20%。公司强调能效对DSP芯片至关重要，此前曾从16nm直接跳级到5nm。
Socionext基于台积电A14制程开发面向AI数据中心的高性能计算芯片，计划今年9月完成测试流片，旨在验证XPU架构在1.4nm节点上的可扩展性。A14作为台积电N2之后的新一代GAA工艺，预计2028年量产，相较N2实现速度、功耗与逻辑密度的全面提升。
英特尔计划推出14A2工艺，采用双面供电架构并压缩金属间距至21纳米，以应对台积电和三星的1.4纳米攻势。此举可提升晶体管密度，但面临电阻增加等挑战，需借助复合供电方案维持稳定。
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