消息称3D IC逻辑-存储集成热度渐高,DRAM市场定制化加速
据韩媒ZDNET Korea报道,近期三星晶圆代工部门收到了大量关于3D IC解决方案的咨询——这一趋势,正在成为芯片设计行业的新焦点。所谓3D IC,就是将逻辑芯片和存储芯片垂直集成在一起,实现更紧密的互联。大家知道,HBM通过大量I/O和DRAM Die堆叠,带来了传统内存难以企及的海量带宽。但
据韩媒ZDNET Korea报道,近期三星晶圆代工部门收到了大量关于3D IC解决方案的咨询——这一趋势,正在成为芯片设计行业的新焦点。所谓3D IC,就是将逻辑芯片和存储芯片垂直集成在一起,实现更紧密的互联。
大家知道,HBM通过大量I/O和DRAM Die堆叠,带来了传统内存难以企及的海量带宽。但严格来说,HBM在整个系统层面仍然只是2.5D异构集成。而更进一步的3D集成,则能进一步缩短逻辑单元与存储单元之间的物理距离,通过直接的垂直数据路径,释放出此前被“内存墙”牢牢限制的性能潜力。这才是真正的“打通任督二脉”。

▲ 从标准封装到深度集成的逻辑与存储(图源:华邦电子)
不过,这类3D IC解决方案的特点也意味着:存储半导体部分的设计,必须与逻辑半导体部分高度绑定。换句话说,其中的3D DRAM不再是通用标准品,而是一种定制化产品。这恰恰给中小型内存企业打开了一扇新的蓝海市场大门——毕竟,大型内存厂商往往更倾向于标准品的大规模量产,而定制化、灵活配合的3D DRAM,则是中小玩家可以快速切入的差异化赛道。
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