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三星2026年Q2夺回DRAM全球第一,市占39%重登王座

三星电子在2026年第二季度以39%的DRAM市场份额重回全球第一,终结了SK海力士的压制。美光科技以25%的份额紧追26%的SK海力士。三星受益于通用DRAM涨价及HBM业务扩张;SK海力士因HBM均价下滑和长期供货协议锁价导致份额下降。AI需求推动HBM4即将放量,竞争格局持续演变。

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    AI算力需求的持续扩张,正在让全球DRAM市场的竞争格局发生深刻变化。经过一年多的激烈争夺,三星电子在2026年第二季度重新站上DRAM市场第一的位置,而SK海力士和美光科技之间的追赶也愈发胶着——全球存储芯片三强的版图,正在经历一轮新的洗牌。

    三星2026年Q2夺回DRAM全球第一,市占39%重登王座

    根据市场研究机构Counterpoint Research最新发布的2026年第二季度全球内存追踪报告,三星电子以39%的DRAM市场份额重回榜首,终结了被SK海力士压制一年的局面。与此同时,美光科技凭借DRAM业务收入同比增长约五倍的强劲表现,以25%的份额紧咬SK海力士的26%——三大巨头之间的差距,正在肉眼可见地缩小。

    三星这一轮反超,主要得益于通用DRAM价格上涨以及HBM(高带宽内存)业务的持续扩张。反观SK海力士,虽然DRAM营收同比增长了214%,但市场份额却从去年同期的39%降至26%。这背后,是HBM均价下滑以及早期签订的长期供货协议(LTA)锁价带来的阶段性压力。

    三星受益于DRAM涨价,HBM业务同步扩张

    Counterpoint研究员崔正久(최정구)指出,三星这次反弹“扭转了此前所有的颓势”。公司不仅吃到了通用DRAM需求回升和价格上涨的红利,同时在HBM领域也在不断蚕食份额。

    报告显示,2026年第二季度,通用DRAM价格较第一季度明显上涨,给三星的存储业务带来了直接的营收支撑。当然,HBM市场目前仍处于产品升级的过渡期——现有HBM3E产品价格同比下降,再加上HBM4量产出货时间有所延后,导致整体HBM均价承压。

    不过,随着AI服务器建设持续推进,高性能存储的需求仍在快速增长。Counterpoint预计,第三季度DRAM价格还有进一步上涨的空间,三星存储业务的盈利能力有望继续改善。

    SK海力士份额承压,LTA锁价影响显现

    SK海力士虽然依靠HBM业务保持了高速增长,但市场份额却出现了明显下滑。

    Counterpoint研究总监黄敏成(황민성)分析称,SK海力士二季度业绩在同比和环比口径下都创了历史新高,但问题是三星和美光涨得更快,导致公司在全球DRAM市场中的相对份额反而下降了。

    其中,HBM业务结构是重要影响因素。由于SK海力士在HBM领域起步较早,其HBM出货量和收入占比都高于竞争对手,因此受到HBM价格下降的冲击也更加明显。

    另外,SK海力士较早与客户签订了长期供货协议(LTA)。这类协议通常设有价格上下限,在存储价格快速上涨的周期里,早期锁定的合同价格可能低于当前市场价,公司自然无法充分享受涨价带来的收益。

    HBM4放量,存储竞争进入新阶段

    不过,随着下一代AI芯片平台逐步推进,HBM市场的格局仍有可能发生变化。

    英伟达Vera Rubin以及AMD Instinct MI455X等新一代GPU机架开始出货后,HBM4需求预计将从第三季度起逐步放量。高端存储产品占比提升,将有助于缓解HBM的价格压力,存储厂商的盈利结构也有望进一步改善。

    对于三星、SK海力士和美光而言,AI服务器需求正在成为决定未来市场排名的关键变量。随着HBM4竞争的全面展开,DRAM市场的竞争焦点也将从传统的存储周期,转向先进存储技术、客户绑定能力以及产能布局的综合较量。

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