DRAM市占：三星电子扩大优势 长鑫增长飞速有望跻身前列
数据显示，2026年第二季度DRAM市场格局中，三星电子以39%份额继续领跑，环比提升1个百分点；SK海力士下滑至26%，美光占比25%。国内长鑫存储以7%份额成为增长最快供应商，营收同比增长716%，有望冲击全球前三位置。
8月4日，Counterpoint Research放出了2026年第二季度DRAM市场的份额排名，我们来看看各家表现如何。三星电子以39%的份额继续领跑，相比上季度还提升了1个百分点。SK海力士这边就有点头疼了，市占率从去年同期的39%直接滑落到了26%，同比下滑明显。美光紧追不舍，拿下了25%的份额。而长鑫存储作为全球增长最快的DRAM供应商，市占率已经爬到了7%，势头相当猛。
报告里提到，三星这波反弹主要靠的是传统DRAM价格上涨，外加HBM业务份额持续扩大，业绩明显回暖。而且，预计第三季度存储价格还会继续上涨，三星仍有得赚。相比之下，SK海力士虽然营收创了历史新高，但HBM产品价格下滑，再加上长期供货协议的影响，市场份额被三星和美光进一步挤压，算是个“增收不增利”的典型。
再说长鑫科技（688825.SH），营收同比增长了716%，这增幅确实惊人。Counterpoint分析认为，随着IPO融资推进以及产能持续扩张，长鑫存储未来有望进一步提升全球市场份额，甚至向全球三大存储厂商发起冲击。这架势，有点像当年存储市场格局重塑前夜的信号。
苹果因存储芯片价格飙升，计划从长鑫采购DRAM以稳定供应而非降低成本，并正游说美国政府放宽管制。此举旨在应对2027年供应缺口，避免A20芯片采购量下降。
海康存储即将推出C5000ECO固态硬盘，采用M.22280外形及PCIeGen5×4接口，支持NVMe协议，基于3DTLCNAND闪存和无DRAM缓存设计，顺序读取速度高达11900MB/s，提供2TB等多种容量，主打高性价比，具备低功耗、高带宽特点，适用于高性能计算与游戏等场景。
三星即将推出新款PCIe4.0NVMeM.2固态硬盘990，采用无DRAM设计并借助主机内存缓冲技术。提供1TB与2TB两款容量，其中1TB版本顺序读取速度高达7150MB/s，顺序写入速度6450MB/s，质保写入量达400TBW。产品定位务实，性能表现出色，非常适合日常使用。
苹果正测试长鑫存储DRAM芯片用于在华销售设备，此前已游说美国政府争取采购许可。此举旨在增强供应链韧性，降低对单一供应商依赖，提升抵御市场波动与地缘风险的能力。
三星电子在2026年第二季度以39%的DRAM市场份额重回全球第一，终结了SK海力士的压制。美光科技以25%的份额紧追26%的SK海力士。三星受益于通用DRAM涨价及HBM业务扩张；SK海力士因HBM均价下滑和长期供货协议锁价导致份额下降。AI需求推动HBM4即将放量，竞争格局持续演变。
8 月 6 日消息，诺基亚今年 7 月发布 2026 年第二季度及上半年业绩报告，宣布持续拓展其长期光器件制造计划。美国圣何塞的新工厂建设正稳步推进，量产节点锁定在 2026 年第四季度末。与此同时，诺基亚在 2026 年第二季度敲定了宾夕法尼亚州工厂的投资计划，目标是将先进测试与封装产能从 202
长鑫科技登陆科创板，首日市值超3万亿元，成为A股市值第一。2026年一季度归母净利润达247.62亿元，接近弥补历史亏损的三分之二。扩产有望增加通用DRAM供给，但短期内难以压降全球内存价格；HBM领域仍难撼动三巨头地位。在三星、SK海力士和美光主导的牌桌上，长鑫能否坐稳需经完整周期验证。
7月29日，Counterpoint一份行业分析报告让不少手机厂商倒吸一口凉气——2026年第二季度，智能手机内存价格环比涨幅超过80%。存储这一波涨价，可以说彻底改写了手机整机的物料成本结构。从入门到旗舰，各档位机型的生产成本全线飘红，行业的盈利压力正在持续加剧。具体来看，对比2025年同规格机型
据韩媒ZDNET Korea报道，近期三星晶圆代工部门收到了大量关于3D IC解决方案的咨询——这一趋势，正在成为芯片设计行业的新焦点。所谓3D IC，就是将逻辑芯片和存储芯片垂直集成在一起，实现更紧密的互联。大家知道，HBM通过大量I/O和DRAM Die堆叠，带来了传统内存难以企及的海量带宽。但
最近有个消息挺有意思：三星电子 MX 业务部门，正在认真考虑给在中国市场销售的中低端机型（主要是 Galaxy A 系列）换上中国产的 DRAM 内存。这背后，其实藏着不少值得琢磨的细节。 为什么要这么干？直接原因，是中国智能手机品牌最近日子不太好过——存储器等核心零部件成本一路飙升，导致它们不得不
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