台积电熊本第一工厂恢复正常生产
台积电熊本第一工厂于8月3日恢复正常生产，速度较快，总部紧急调派工程师支援。该厂主要生产12至28纳米传统半导体，第二工厂已重启建设，计划两年后量产3纳米先进工艺。熊本地区索尼、瑞萨、三菱等半导体工厂也在陆续复产。
中新经纬8月4日电 据韩国《朝鲜日报》报道，台积电熊本第一工厂在8月3日恢复正常生产——距离上一轮日本熊本地震导致停产，恢复速度相当快。这背后，台积电紧急从总部调派了工程师和其他技术人员到现场，调整设备、重启运营，日本《读卖新闻》4日的报道也印证了这一点。
台积电在声明中特别强调：“熊本是我们全球生产体系中非常重要的枢纽。” 感谢员工和合作伙伴的共同努力，才能这么快恢复生产。第一工厂主要生产12至28纳米的传统半导体，而第二工厂的建设也已重启，计划两年后开始生产3纳米先进半导体——这将是全球最前沿的工艺节点之一。
不光是台积电，熊本地区因地震停产的半导体工厂也在陆续恢复。据《日经新闻》报道，索尼的图像传感器工厂将从4日起逐步复产，预计到月中能恢复到震前产量水平；瑞萨电子预计本月内恢复正常；三菱电机也在逐步恢复生产。整个熊本半导体产业链正在快速回血。
Marvell总裁透露，计划在下一代AI数据中心芯片中采用台积电A14制程。该制程性能提升15%或功耗降低30%，逻辑密度增加20%以上，预计2028年量产。公司已率先使用3nm、2nm制程，并预付10亿美元锁定先进制程产能。
台积电正加速新一代CoPoS封装技术开发，以矩形基板替代传统晶圆，提升面积利用率至90%以上，从而封装更大尺寸芯片并降低单位成本20%-30%。该技术计划2027年试产，2028年量产，玻璃基板预计2030年前后应用。此举旨在满足AI与高性能计算需求，巩固其在先进封装领域的领先地位。
市场调研机构数据显示，英伟达稳居台积电CoWoS产能最大客户，2027年其数据中心营收预计增长52%；AMD加速追赶，EPYCVeniceCPU出货量预计达675万颗。全球CoWoS需求爆发，预计2027年将达269.4万片，台积电计划扩产至月产能20万片以满足AI芯片旺盛需求。
台积电计划下半年上调3nm晶圆代工价格，明年可能继续涨，主要受AI与高性能计算需求推动。大部分制程节点也将调价，包括7nm，原因是EUV光刻成本上升及先进封装工艺变贵。整体涨幅5%至10%，毛利率有望提升两个百分点，部分成熟制程或跟进。
三星曾将1.4nm工艺量产延至2029年，如今重启项目并安装ASMLHigh-NA光刻设备提前布局。台积电计划2028年、英特尔计划2029年量产1.4nm，三星量产时间可能稍晚，此举旨在缩小与台积电差距并应对AI芯片对先进制程的高要求。
三星披露1.4nm及1.4nm+工艺进展，1.4nm计划2029年量产，1.4nm+计划2030年投产。相比台积电2028年量产1.4nm，三星仍有一年追赶期。通过设计与工艺协同优化（DTCO）提升良率，此前已在2nmGAA应用并降低功耗26%。同时推进第三代2nmGAA节点，预计2027或2028年量产。苹果后续芯片可能转向1.4nm，或成为三星代工突破口
Marvell正与台积电洽谈导入A14制程，预计2028年量产，较N2性能提升10-15%，功耗降25-30%，逻辑密度增超20%。公司强调能效对DSP芯片至关重要，此前曾从16nm直接跳级到5nm。
Socionext基于台积电A14制程开发面向AI数据中心的高性能计算芯片，计划今年9月完成测试流片，旨在验证XPU架构在1.4nm节点上的可扩展性。A14作为台积电N2之后的新一代GAA工艺，预计2028年量产，相较N2实现速度、功耗与逻辑密度的全面提升。
英特尔计划推出14A2工艺，采用双面供电架构并压缩金属间距至21纳米，以应对台积电和三星的1.4纳米攻势。此举可提升晶体管密度，但面临电阻增加等挑战，需借助复合供电方案维持稳定。
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