三星电子联席CEO卢泰文：最好的AI体验，将来自最了解用户的设备
三星联席CEO卢泰文指出，AI已进入智能体阶段，可直接执行操作但用户保留决定权。最好的AI体验来自最了解用户的设备。三星通过多设备生态实现个性化，以SamsungKnox保障安全。折叠屏手机是理想载体，7月22日发布会将展示AI与硬件的融合。
7月8日消息，三星电子联席CEO卢泰文在官方Newsroom发表了一篇文章，赶在Galaxy Unpacked发布会之前，算是提前给行业透了底——AI在Galaxy生态里到底要扮演什么角色。
卢泰文的核心判断是：AI已经不只是帮你回答问题，而是进入了“智能体”阶段——换句话说，AI可以直接替你执行操作，但最终决定权依然在用户手里。所以，AI必须先搞懂你的需求、习惯和偏好。这个逻辑其实很直白：最好的AI体验，一定来自最了解你的设备。
三星这些年一直在搭一个多设备互联的生态网，目的就是让AI更个性化。手机、平板、手表、电视、智能家电——整个Galaxy生态串联起来，AI才能更精准地理解你。举个例子：Galaxy Watch记录的睡眠数据，AI可以据此帮你调整第二天的日程。说白了，AI在后台低调运行，你需要的时候它才跳出来帮忙，而不是时刻刷存在感。
这个生态的底层逻辑是开放与协作。SmartThings扮演了连接器的角色，把设备、服务和合作伙伴串在一起。但AI要想真正融入生活，信任是前提。三星的Samsung Knox安全方案，就是用来保障设备本身以及设备间连接的安全——这一点在数据敏感的时代尤其关键。
更个性化、更强大的AI体验，也离不开合适的产品形态。折叠屏手机的价值就在这里：既能提供大屏空间，又保持便携。卢泰文透露，即将举行的Galaxy Unpacked发布会，将展示三星如何把这些能力整合在一起——在一个开放的基础上，让更多合作伙伴参与进来，最终带来更自然、更个性化的AI体验。
在他看来，AI的下一个阶段，竞争的焦点不再是“谁的AI更聪明”，而是谁更懂用户，并且能赢得用户的信任。这个观点值得琢磨。据官方消息，三星将在7月22日于伦敦举办Galaxy Unpacked发布会，预计会带来Galaxy Z Fold 8、Galaxy Z Fold 8 Ultra、Galaxy Z Flip 8等折叠屏手机，以及Galaxy Watch 9和Galaxy Watch Ultra 2等智能手表。届时新硬件和AI生态的融合力度，值得关注。
三星晶圆代工业务2026年上半年平均产能利用率预计回升至60%，较2025年下半年提升10个百分点，但仍低于80%盈亏平衡线。Exynos2600芯片代工订单成为2nm产线关键支撑，8nm节点为任天堂Switch2量产SoC并接近敲定英特尔PCH芯片组合作，4nm节点客户Rebellions有望扩大订单，共同拉动产线开工率。
三星晶圆代工获得Neuralink第四代芯片订单，采用4nm工艺，目标2027年底量产，试产已于5月启动。该合作深化了三星与马斯克的关联，此前三星已为特斯拉代工AI芯片。三星代工业务持续亏损，但有望在2027年扭亏为盈。
三星晶圆代工发布2027年多项目晶圆服务计划，首次将2nm节点纳入，覆盖第一季度至第三季度。4nm全年开放，5nm、8nm等制程亦排布，12英寸晶圆共安排18次MPW服务，为客户提供先进制程流片机会。
三星电子HBM4内存销售额突破10亿美元（约67.87亿元），2026年2月量产，采用1cnmDRAM和4nm逻辑，12Hi堆叠36GB，速率13Gbps，带宽3.3TB/s。随后出样HBM4E，12Hi48GB，速率14~16Gbps，带宽3.6TB/s。
三星电子暂停8层3代高带宽内存生产，将每月15万片晶圆产能转向12层3代高带宽内存与4代高带宽内存，两者各占一半。12层已成出货主力，4代高带宽内存率先量产服务于英伟达RubinGPU。对手SK海力士、美光则手握大量3代高带宽内存订单。
三星Exynos2700移动处理器开发顺利，采用SF2P工艺，计划2026年Q4量产，目标用于GalaxyS27Ultra。若成功，将降低系统LSI和晶圆代工成本，帮助MX业务削减处理器采购开支。另悉，Exynos2600已获部分区域GalaxyS26系列及ZFlip8订单。
三星电子因库存股不足，宣布计划回购近90万亿韩元股票用于员工奖金，仅三分之一可立即套现，其余分两年解禁。这一激励计划公布后，股价大涨8.71%。
三星电子官方公众号注销，正式退出中国大陆家电市场。此前五月起已停止销售电视、冰箱等全品类家电。已购用户售后服务不受影响，手机业务正常运营。此举标志着三星家电业务正式撤离中国市场。
三星电子递交HBM新专利，采用倒金字塔式虚拟芯片结构配合深槽切割激光工艺，解决16层以上高堆叠引发的晶圆翘曲与裂纹难题，旨在将HBM5制程良率从40%–60%显著提升，并整合混合键合等工艺以增强封装综合性能。
三星电子发布HBM封装新专利，采用“深槽切割”工艺将堆叠芯片侧面加工成三级阶梯状曲面，缓解应力集中与分层开裂问题。热管理方面，粘合绝缘层底面与水平延伸面垂直距离精确控制在1至10微米，改进凸起结构减少填充料，提升散热效率。
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