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同样功耗性能提升9%、同样性能功耗省18%,Intel 18A-P制程更快也更省电

英特尔18A-P制程进入风险试产阶段,与18A设计规则完全一致,客户可无缝迁移。相同功耗下性能提升约百分之九,相同性能下功耗降低百分之十八,同时热阻下降百分之二十至百分之四十,为高密度芯片设计提供更大空间。

英特尔18A-P制程已经正式进入风险试产阶段。这不只是一个时间节点上的更新——性能有了实质性的提升,热管理能力也得到了显著增强,更关键的是,它在设计规则上与Intel 18A保持了完全一致。这意味着什么?意味着客户可以无缝迁移,无需重新适配。

在2026年VLSI国际研讨会上,英特尔代工方面详细披露了先进制程的演进路线,以及一系列关键技术突破。作为Intel 18A家族中的首个性能增强节点,18A-P的推进节奏完全符合去年向客户和合作伙伴公开的开发规划。

英特尔代工执行副总裁兼总经理Naga Chandrasekaran在大会上表示:“我们在VLSI上展示的技术成果与深度分享,向整个代工生态传递了一个清晰而坚定的信号——英特尔对尖端制程创新的投入从未动摇。这是一场持续演进的长期战役,后面还有大量关键工作要推进。能与业界一同见证18A-P的实质进展,以及更长远技术布局的稳步落地,我们感到非常荣幸。”

Intel 18A-P:核心升级在哪里

从晶体管结构到互连架构,再到芯片设计方法学,18A-P受益于系统性的协同优化,实现了PPA(功耗、性能、面积)的全方位提升。VLSI期间,英特尔代工技术团队公布了多项关键指标:

与基础版Intel 18A相比,新工艺在同功耗下可带来约9%的性能增益;如果保持性能不变,功耗则可以降低约18%。与此同时,热特性也获得了明显增强,给高密度、高算力芯片设计留出了更多空间。

具体来看,几项核心技术值得关注:

首先是Power Boost能效增强技术——这是一项专为18A-P定制的双接触、低电阻晶体管架构。它的特点在于,不额外增加寄生电容,却能有效提升晶体管驱动电流,从而支撑更高的运行频率。

其次是热阻的大幅降低。通过先进材料体系的重构与精细化结构设计,整体热阻比18A下降了20%至40%。对于高功率密度场景来说,这无疑是缓解散热压力的关键一步。

然后是过孔电阻的优化。借助几何构型的调整和新型导电材料的应用,芯片多层互连间的垂直通路阻抗降低了10%–30%,直接改善了信号完整性与电源传输效率。

此外,PMOS沟道应力状态通过先进应变工程得到了调控,载流子迁移率显著提升,电流流通更为高效。晶体管类型谱系也进一步拓展,新增了面向不同应用场景的低功耗与高性能器件选项。更值得留意的是,在ULVT(超低阈值电压)与LVT(低阈值电压)之间,首次引入了第五档Vt(逻辑阈值电压)配置——这给了设计工程师更精细的功耗-速度权衡空间。

还有一个容易被忽略但极其重要的细节:Intel 18A-P延续了18A的全部设计规范。包括统一的接触栅极间距(50nm),以及双单元高度支持(180nm高性能库HP与160nm高密度库HD)。这意味着什么?IP复用零门槛,设计流程无缝迁移。对客户来说,这是实实在在的利好。

GAA晶体管与背面供电:技术纵深

基于Intel 18A平台,全环绕栅极(GAA)晶体管与背面供电(BSPD)技术已经正式投入量产应用。在VLSI大会上,英特尔工程团队用实测数据阐释了这两项技术如何为下一代逻辑芯片构筑性能与能效的基础。

英特尔代工副总裁兼英特尔院士Eric Karl展示了背面供电与GAA晶体管协同作用的量化结果:相比传统正面布线方案,两者结合可缩减11%的金属布线面积,动态IR压降抑制效果高达10倍,最终转化为最高6%的频率增益,或逾15%的动态功耗削减。

英特尔代工硅片与平台工程团队高级总监Manju Shamanna则分享了搭载GAA晶体管与背面供电架构的真实CPU核心硅验证结果。数据显示,在约0.5V低压工作区间内,该组合可实现近30%的核心频率跃升,同时显著降低IR压降——这意味着能效稳定性与运行可靠性的双重提升。

面向未来的技术布局

除了18A-P的量产落地,英特尔代工还在VLSI平台上发布了一系列面向后GAA时代的前沿探索成果,值得仔细一看:

互补场效应晶体管(CFET):成功流片了单片集成CFET反相器,NMOS与PMOS器件实现垂直堆叠,栅极间距压缩至45nm。这一结构为延续摩尔定律、突破GAA的微缩瓶颈提供了全新的技术路径。

氮化镓+硅单片集成电源管理方案:在300mm晶圆上完成了GaN功率器件与硅基逻辑电路(含约1000门数字控制模块)的单片异质集成。高效率功率输出与智能化数字调控深度融合,系统层级复杂度显著降低。

减成法钌互连技术(含空气间隙):展示了一种采用空气隙介质集成的减成式钌互连结构。相比传统铜互连,其寄生电容降低幅度高达约35%,并伴随可观的频率性能提升。对于持续微缩下的RC延迟挑战来说,这是一个切实可行的解决方案。

从18A-P的量产推进,到GAA与背面供电的协同优化,再到CFET、氮化镓集成、钌互连等技术的前瞻探索——英特尔代工在VLSI上展示的,是一条层次清晰、节奏明确的演进路线。技术的最终价值,从来不在于发布时的声势,而在于它能不能在实际设计中落地、在量产中跑通。从目前释放的信息来看,这条路线走得比很多人预期的要稳。

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