台积电供应链提前满负荷生产5/3纳米芯片，宝山厂计划第四季度试生产2纳米技术
本站2月20日消息，据台湾电子时报，半导体供应链表示，台积电不仅现有制程产能利用率全面回升外，2纳米进度亦优于预期，首季除了8英寸产能利用率缓步回升外，台积电的12英寸产利用率更是到八成以上，尤其是5/4纳米制程维持满载。代工价近2万美元的3纳米（N3B、N3E）在2023年底时的占比已从75%上升至95%，首季月产能提前达到10万片。据估算，首季业绩可能会超过之前的财务预测。本站注意到，供应链表示，台积电2023年3纳米制程以N3B为主，至年底单月产能已由先前约6万多片提升至8万片，2024年由N3E接
本站 2 月 20 日消息，据台湾电子时报，半导体供应链表示，台积电不仅现有制程产能利用率全面回升外，2 纳米进度亦优于预期，首季除了 8 英寸产能利用率缓步回升外，台积电的 12 英寸产利用率更是到八成以上，尤其是 5/4 纳米制程维持满载。
代工价近 2 万美元的 3 纳米（N3B、N3E）在2023年底时的占比已从75%上升至95%，首季月产能提前达到10万片。据估算，首季业绩可能会超过之前的财务预测。
本站注意到，供应链表示，台积电 2023 年 3 纳米制程以 N3B 为主，至年底单月产能已由先前约 6 万多片提升至 8 万片，2024 年由 N3E 接棒上阵，月产能将逐月拉升至 10 万片，主要客户为苹果，另包括英特尔、联发科、高通等多家客户也开始扩大投片。
台积电在2023年第四季度在代工报价超过1万美元的5/4纳米领域表现强劲，其营收比重已经提高至35%，整个2023年的比重为33%。到了2023年底，台积电的产能利用率接近90%，预计2024年第一季度将达到全面满载。目前，该公司的5/4纳米制程已成为手机和高性能计算（HPC）等领域的主要投片节点，吸引了众多AI客户。
而 28 纳米已回到 8 成正常水平，过去一年产能利用率跌破 5 成的 7/6 纳米制程，则也逐季缓步拉升至 75%。
根据台积电的预测，目前约70%的营收来自16纳米以下的先进制程技术。未来几年，随着3纳米和2纳米制程技术的贡献逐渐增加，这一比例将继续上升。预计未来成熟制程技术所占营收的比重不会超过2%。
据供应链透露，台积电 2 纳米进展相当顺利，宝山 P1 厂将于 2024 年第四季就会开始试产，2025 年第二季进入量产，首家采用客户仍为苹果，包括英特尔、联发科、高通、AMD、英伟达等众多客户也已展开合作。
Marvell总裁透露，计划在下一代AI数据中心芯片中采用台积电A14制程。该制程性能提升15%或功耗降低30%，逻辑密度增加20%以上，预计2028年量产。公司已率先使用3nm、2nm制程，并预付10亿美元锁定先进制程产能。
台积电正加速新一代CoPoS封装技术开发，以矩形基板替代传统晶圆，提升面积利用率至90%以上，从而封装更大尺寸芯片并降低单位成本20%-30%。该技术计划2027年试产，2028年量产，玻璃基板预计2030年前后应用。此举旨在满足AI与高性能计算需求，巩固其在先进封装领域的领先地位。
市场调研机构数据显示，英伟达稳居台积电CoWoS产能最大客户，2027年其数据中心营收预计增长52%；AMD加速追赶，EPYCVeniceCPU出货量预计达675万颗。全球CoWoS需求爆发，预计2027年将达269.4万片，台积电计划扩产至月产能20万片以满足AI芯片旺盛需求。
台积电计划下半年上调3nm晶圆代工价格，明年可能继续涨，主要受AI与高性能计算需求推动。大部分制程节点也将调价，包括7nm，原因是EUV光刻成本上升及先进封装工艺变贵。整体涨幅5%至10%，毛利率有望提升两个百分点，部分成熟制程或跟进。
三星曾将1.4nm工艺量产延至2029年，如今重启项目并安装ASMLHigh-NA光刻设备提前布局。台积电计划2028年、英特尔计划2029年量产1.4nm，三星量产时间可能稍晚，此举旨在缩小与台积电差距并应对AI芯片对先进制程的高要求。
三星披露1.4nm及1.4nm+工艺进展，1.4nm计划2029年量产，1.4nm+计划2030年投产。相比台积电2028年量产1.4nm，三星仍有一年追赶期。通过设计与工艺协同优化（DTCO）提升良率，此前已在2nmGAA应用并降低功耗26%。同时推进第三代2nmGAA节点，预计2027或2028年量产。苹果后续芯片可能转向1.4nm，或成为三星代工突破口
Marvell正与台积电洽谈导入A14制程，预计2028年量产，较N2性能提升10-15%，功耗降25-30%，逻辑密度增超20%。公司强调能效对DSP芯片至关重要，此前曾从16nm直接跳级到5nm。
Socionext基于台积电A14制程开发面向AI数据中心的高性能计算芯片，计划今年9月完成测试流片，旨在验证XPU架构在1.4nm节点上的可扩展性。A14作为台积电N2之后的新一代GAA工艺，预计2028年量产，相较N2实现速度、功耗与逻辑密度的全面提升。
英特尔计划推出14A2工艺，采用双面供电架构并压缩金属间距至21纳米，以应对台积电和三星的1.4纳米攻势。此举可提升晶体管密度，但面临电阻增加等挑战，需借助复合供电方案维持稳定。
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