消息称三星电子 12nm 级 DRAM 内存良率不足五成，已就此成立专门工作组
本站6月11日消息，韩媒ZDNetKorea今日表示，三星1bnm（12nm级）DRAM内存良率仍不足五成。这一数据远低于80~90%的业界一般目标，三星已于上月就此成立专门工作组应对。参考本站以往报道，三星电子于2023年5月宣布16Gb版12nm级DDR5内存开始量产，后又于2023年9月宣布12nm级32GbDDR5内存开发成功。▲三星电子12nm级32GbDDR5内存32Gb的颗粒容量意味着三星可在不使用TSV工艺的情况下就能生产128GB容量的高密度DDR5RDIMM内存条。相比采用TSV的3D
本站 6 月 11 日消息，韩媒 ZDNet Korea 今日表示，三星 1b nm（12nm 级） DRAM 内存良率仍不足五成。
这一数据远低于 80~90% 的业界一般目标，三星已于上月就此成立专门工作组应对。
参考本站以往报道，三星电子于 2023 年 5 月宣布 16Gb 版 12nm 级 DDR5 内存开始量产，后又于 2023 年 9 月宣布 12nm 级 32Gb DDR5 内存开发成功。
32Gb 的颗粒容量意味着三星可在不使用 TSV 工艺的情况下就能生产 128GB 容量的高密度 DDR5 RDIMM 内存条。
相比采用 TSV 的 3DS DIMM 内存，这种常规内存条功耗减少 10%，制造成本也显著降低。
因此，12nm 级制程的 32Gb DDR5 内存颗粒被三星电子视为未来的主力产品。此番成立专门工作组旨在迅速提升良率。
三星电子还决定积极扩大 12nm 级 DRAM 的产量，未来华城 15 和平泽 P2 晶圆厂将成为这一产品的主要生产基地。后者目前主要生产 1z nm 内存，将进行工艺升级。
三星电子计划将 12nm 级 DRAM 的产能从目前的每月 4 万片晶圆扩张到三季度的 7 万片和四季度的 10 万片，明年则将进一步提升至每月 20 万片晶圆。
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三星晶圆代工业务2026年上半年平均产能利用率预计回升至60%，较2025年下半年提升10个百分点，但仍低于80%盈亏平衡线。Exynos2600芯片代工订单成为2nm产线关键支撑，8nm节点为任天堂Switch2量产SoC并接近敲定英特尔PCH芯片组合作，4nm节点客户Rebellions有望扩大订单，共同拉动产线开工率。
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