三星电子计划 2027 年推出 0a nm DDR 内存，2026 年推出 HBM4E
本站9月5日消息，据《韩国先驱报》报道，三星电子DS部门存储器业务总裁兼总经理李祯培昨日在台湾地区出席业界活动时展示了三星未来内存产品路线图。根据DDR内存路线图，三星计划在2024年内推出1cnm制程DDR内存，该节点可提供32Gb颗粒容量产品；而在2026年三星将推出其最后一代10nm级工艺1dnm，仍最大提供32Gb容量。▲图源《韩国先驱报》，下同来到2027年，三星将突入10nm以下级DRAM制程节点，发布0anm工艺DDR内存产品，同时该节点的内存单颗粒容量也将来到更高的48Gb，即6GB。此外
本站 9 月 5 日消息，据《韩国先驱报》报道，三星电子 DS 部门存储器业务总裁兼总经理李祯培昨日在台湾地区出席业界活动时展示了三星未来内存产品路线图。
根据 DDR 内存路线图，三星计划在 2024 年内推出 1c nm 制程 DDR 内存，该节点可提供 32Gb 颗粒容量产品；而在 2026 年三星将推出其最后一代 10nm 级工艺 1d nm，仍最大提供 32Gb 容量。
来到 2027 年，三星将突入 10nm 以下级 DRAM 制程节点，发布 0a nm 工艺 DDR 内存产品，同时该节点的内存单颗粒容量也将来到更高的 48Gb，即 6GB。
此外对于 LPDDR 内存，李祯培介绍了 LPDDR5-PIM（本站注：内存内处理）产品。这一整合计算单元的存储介质可提升 70% 系统能效和最多 8 倍性能。
而在 HBM 内存路线图上，三星电子明确其下下代产品 HBM4E 将于 2026 年推出，与 SK 海力士的进度相当。
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英伟达发布定制HBM技术NVHBM，通过集成内存控制器至HBM基础裸片，实现带宽较HBM4E提升30%、功耗降低15%，并释放主芯片25%空间。亚马逊Annapurna Labs为首个合作伙伴，该技术旨在通过标准化方案加速定制AI芯片开发，而非取代通用HBM。
三星晶圆代工业务2026年上半年平均产能利用率预计回升至60%，较2025年下半年提升10个百分点，但仍低于80%盈亏平衡线。Exynos2600芯片代工订单成为2nm产线关键支撑，8nm节点为任天堂Switch2量产SoC并接近敲定英特尔PCH芯片组合作，4nm节点客户Rebellions有望扩大订单，共同拉动产线开工率。
三星晶圆代工获得Neuralink第四代芯片订单，采用4nm工艺，目标2027年底量产，试产已于5月启动。该合作深化了三星与马斯克的关联，此前三星已为特斯拉代工AI芯片。三星代工业务持续亏损，但有望在2027年扭亏为盈。
三星晶圆代工发布2027年多项目晶圆服务计划，首次将2nm节点纳入，覆盖第一季度至第三季度。4nm全年开放，5nm、8nm等制程亦排布，12英寸晶圆共安排18次MPW服务，为客户提供先进制程流片机会。
AMD因用户强烈反弹，将为消费级Ryzen处理器恢复TSME内存加密功能。此前该功能被AGESA微码悄然关闭，仅保留在PRO等高端产品线，而英特尔竞品仍开放类似功能。AMD将通过UEFI固件更新，自2026年7月起由主板厂商发布BIOS恢复该选项。
消费级DRAM供给紧缩，三大原厂优先HBM与服务器内存，DDR4投片缩减。需求转向DDR2/DDR3，DDR2合约价二季度涨55%-60%，三季度再涨35%-40%。品牌厂与ODM厂降级使用，缺货压力向下传导。
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