消息称三星电子考虑在 HBM4 内存上采用 1c nm 制程 DRAM，提升能效竞争力
本站5月17日消息，韩媒ZDNetKorea今日报道称，三星电子考虑在HBM4内存上使用1cnm制程（第六代10+nm级）DRAM裸片，以提升其产品在能效等方面的竞争力。三星电子代表今年早些时候在行业会议Memcon2024上表示，该企业计划在今年底前实现1cnm制程的量产；而在HBM4方面，三星电子预计在明年完成该新型AI内存的开发，2026年实现量产。在目前已量产的HBM3E上，三星并未像竞争对手SK海力士、美光那样采用1bnm制程DRAM裸片，而是仍使用1anm颗粒，在能耗方面处于劣势。这被消息人士
本站 5 月 17 日消息，韩媒 ZDNet Korea 今日报道称，三星电子考虑在 HBM4 内存上使用 1c nm 制程（第六代 10+nm 级）DRAM 裸片，以提升其产品在能效等方面的竞争力。
三星电子代表今年早些时候在行业会议 Memcon 2024 上表示，该企业计划在今年底前实现 1c nm 制程的量产；而在 HBM4 方面，三星电子预计在明年完成该新型 AI 内存的开发，2026 年实现量产。
在目前已量产的 HBM3E 上，三星并未像竞争对手 SK 海力士、美光那样采用 1b nm 制程 DRAM 裸片，而是仍使用 1a nm 颗粒，在能耗方面处于劣势。
这被消息人士认为是三星内部考虑在 HBM4 上就导入 1c nm DRAM 颗粒的重要诱因。
本站获悉，同一制程节点的首批 DRAM 产品一般是面向桌面和移动端市场的标准 DDR / LPDDR 产品，等到成熟后才会在高价值低良率的 HBM 中引入新制程。
消息人士还称，三星电子 HBM 业务相关高管和工作组也计划同步将 HBM4 的开发时间周期缩短，以跟上 AI 处理器厂商的需求。但这必然会带来更大的良率风险。
目前 HBM 内存领域的领军企业 SK 海力士已表达了计划在 HBM4E 上导入 1c nm 制程颗粒的意向，但尚未正式确认 HBM4 内存具体使用哪种制程的 DRAM。
想知道3ds Max安装需要多大内存和硬盘空间？本文列出官方最低与推荐配置，解析不同工作流下的硬件需求，助你避开性能瓶颈。
电脑安装了16GB内存却只显示15.8GB或更少？本文详解硬件保留、核显占用及系统设置导致的内存显示差异，提供从任务管理器到BIOS的完整排查方法。
英伟达发布定制HBM技术NVHBM，通过集成内存控制器至HBM基础裸片，实现带宽较HBM4E提升30%、功耗降低15%，并释放主芯片25%空间。亚马逊Annapurna Labs为首个合作伙伴，该技术旨在通过标准化方案加速定制AI芯片开发，而非取代通用HBM。
三星晶圆代工业务2026年上半年平均产能利用率预计回升至60%，较2025年下半年提升10个百分点，但仍低于80%盈亏平衡线。Exynos2600芯片代工订单成为2nm产线关键支撑，8nm节点为任天堂Switch2量产SoC并接近敲定英特尔PCH芯片组合作，4nm节点客户Rebellions有望扩大订单，共同拉动产线开工率。
三星晶圆代工获得Neuralink第四代芯片订单，采用4nm工艺，目标2027年底量产，试产已于5月启动。该合作深化了三星与马斯克的关联，此前三星已为特斯拉代工AI芯片。三星代工业务持续亏损，但有望在2027年扭亏为盈。
三星晶圆代工发布2027年多项目晶圆服务计划，首次将2nm节点纳入，覆盖第一季度至第三季度。4nm全年开放，5nm、8nm等制程亦排布，12英寸晶圆共安排18次MPW服务，为客户提供先进制程流片机会。
AMD因用户强烈反弹，将为消费级Ryzen处理器恢复TSME内存加密功能。此前该功能被AGESA微码悄然关闭，仅保留在PRO等高端产品线，而英特尔竞品仍开放类似功能。AMD将通过UEFI固件更新，自2026年7月起由主板厂商发布BIOS恢复该选项。
消费级DRAM供给紧缩，三大原厂优先HBM与服务器内存，DDR4投片缩减。需求转向DDR2/DDR3，DDR2合约价二季度涨55%-60%，三季度再涨35%-40%。品牌厂与ODM厂降级使用，缺货压力向下传导。
火山引擎是字节跳动旗下企业级云与AI服务平台。聚焦大模型核心能力，依托字节自研豆包多模态大模型，凭借火山方舟一站式平台，提供模型精调、推理部署、智能应用搭建等全链路服务，结合高性能AI算力，助力各行业快速落地大模型数字化与智能化应用。
