消息称三星电子考虑在 HBM4 内存上采用 1c nm 制程 DRAM,提升能效竞争力
本站5月17日消息,韩媒ZDNetKorea今日报道称,三星电子考虑在HBM4内存上使用1cnm制程(第六代10+nm级)DRAM裸片,以提升其产品在能效等方面的竞争力。三星电子代表今年早些时候在行业会议Memcon2024上表示,该企业计划在今年底前实现1cnm制程的量产;而在HBM4方面,三星电子预计在明年完成该新型AI内存的开发,2026年实现量产。在目前已量产的HBM3E上,三星并未像竞争对手SK海力士、美光那样采用1bnm制程DRAM裸片,而是仍使用1anm颗粒,在能耗方面处于劣势。这被消息人士

本站 5 月 17 日消息,韩媒 ZDNet Korea 今日报道称,三星电子考虑在 HBM4 内存上使用 1c nm 制程(第六代 10+nm 级)DRAM 裸片,以提升其产品在能效等方面的竞争力。
三星电子代表今年早些时候在行业会议 Memcon 2024 上表示,该企业计划在今年底前实现 1c nm 制程的量产;而在 HBM4 方面,三星电子预计在明年完成该新型 AI 内存的开发,2026 年实现量产。
在目前已量产的 HBM3E 上,三星并未像竞争对手 SK 海力士、美光那样采用 1b nm 制程 DRAM 裸片,而是仍使用 1a nm 颗粒,在能耗方面处于劣势。
这被消息人士认为是三星内部考虑在 HBM4 上就导入 1c nm DRAM 颗粒的重要诱因。
本站获悉,同一制程节点的首批 DRAM 产品一般是面向桌面和移动端市场的标准 DDR / LPDDR 产品,等到成熟后才会在高价值低良率的 HBM 中引入新制程。
消息人士还称,三星电子 HBM 业务相关高管和工作组也计划同步将 HBM4 的开发时间周期缩短,以跟上 AI 处理器厂商的需求。但这必然会带来更大的良率风险。
目前 HBM 内存领域的领军企业 SK 海力士已表达了计划在 HBM4E 上导入 1c nm 制程颗粒的意向,但尚未正式确认 HBM4 内存具体使用哪种制程的 DRAM。
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