三星电子预计第三季度利润将因芯片亏损扩大而下降78%

英伟达发布定制HBM技术NVHBM，通过集成内存控制器至HBM基础裸片，实现带宽较HBM4E提升30%、功耗降低15%，并释放主芯片25%空间。亚马逊Annapurna Labs为首个合作伙伴，该技术旨在通过标准化方案加速定制AI芯片开发，而非取代通用HBM。

Arm在Hot Chips 2026发布首款AI专用数据中心CPU“Arm AGI CPU”，由Meta联合开发。该芯片采用台积电3nm工艺，双芯粒设计，每芯粒70个Neoverse V3核心（屏蔽4个后单芯片136核），TDP 300W，支持DDR5-8800及PCIe 6.0。旨在解决x86在AI算力与能效上的瓶颈，预计2027-2028财年推向市场。

三星晶圆代工业务2026年上半年平均产能利用率预计回升至60%，较2025年下半年提升10个百分点，但仍低于80%盈亏平衡线。Exynos2600芯片代工订单成为2nm产线关键支撑，8nm节点为任天堂Switch2量产SoC并接近敲定英特尔PCH芯片组合作，4nm节点客户Rebellions有望扩大订单，共同拉动产线开工率。

三星晶圆代工获得Neuralink第四代芯片订单，采用4nm工艺，目标2027年底量产，试产已于5月启动。该合作深化了三星与马斯克的关联，此前三星已为特斯拉代工AI芯片。三星代工业务持续亏损，但有望在2027年扭亏为盈。

美股芯片股盘前全线走强，美光科技涨近5%，阿斯麦涨4.5%，迈威尔科技涨4%，英特尔涨3.5%，台积电涨约2%。在震荡市场中，芯片板块表现亮眼，主要受人工智能需求及行业前景提振。

美股芯片板块全线拉升，费城半导体指数涨超5%。特朗普宣布苹果、英伟达同意与英特尔合作，马斯克同意建造全球最大芯片工厂，带动英特尔盘中大涨近12%。多只芯片股涨幅超6%，存储板块亦集体走高。

三星晶圆代工发布2027年多项目晶圆服务计划，首次将2nm节点纳入，覆盖第一季度至第三季度。4nm全年开放，5nm、8nm等制程亦排布，12英寸晶圆共安排18次MPW服务，为客户提供先进制程流片机会。

璇相科技发布百万级超表面光镊阵列芯片，联合中器无量在中性原子平台完成系统适配与光场验证。芯片约4毫米直径工作区域生成百万级光镊位点，为公开最大规模。超表面无需中继光路直接投射光场，但原子装载与阵列重排仍待解决。

三星电子HBM4内存销售额突破10亿美元（约67.87亿元），2026年2月量产，采用1cnmDRAM和4nm逻辑，12Hi堆叠36GB，速率13Gbps，带宽3.3TB/s。随后出样HBM4E，12Hi48GB，速率14~16Gbps，带宽3.6TB/s。

三星电子暂停8层3代高带宽内存生产，将每月15万片晶圆产能转向12层3代高带宽内存与4代高带宽内存，两者各占一半。12层已成出货主力，4代高带宽内存率先量产服务于英伟达RubinGPU。对手SK海力士、美光则手握大量3代高带宽内存订单。