格芯获美国 3500 万美元资金，加速制造下一代氮化镓芯片

英伟达发布定制HBM技术NVHBM，通过集成内存控制器至HBM基础裸片，实现带宽较HBM4E提升30%、功耗降低15%，并释放主芯片25%空间。亚马逊Annapurna Labs为首个合作伙伴，该技术旨在通过标准化方案加速定制AI芯片开发，而非取代通用HBM。

Arm在Hot Chips 2026发布首款AI专用数据中心CPU“Arm AGI CPU”，由Meta联合开发。该芯片采用台积电3nm工艺，双芯粒设计，每芯粒70个Neoverse V3核心（屏蔽4个后单芯片136核），TDP 300W，支持DDR5-8800及PCIe 6.0。旨在解决x86在AI算力与能效上的瓶颈，预计2027-2028财年推向市场。

美股芯片股盘前全线走强，美光科技涨近5%，阿斯麦涨4.5%，迈威尔科技涨4%，英特尔涨3.5%，台积电涨约2%。在震荡市场中，芯片板块表现亮眼，主要受人工智能需求及行业前景提振。

美股芯片板块全线拉升，费城半导体指数涨超5%。特朗普宣布苹果、英伟达同意与英特尔合作，马斯克同意建造全球最大芯片工厂，带动英特尔盘中大涨近12%。多只芯片股涨幅超6%，存储板块亦集体走高。

璇相科技发布百万级超表面光镊阵列芯片，联合中器无量在中性原子平台完成系统适配与光场验证。芯片约4毫米直径工作区域生成百万级光镊位点，为公开最大规模。超表面无需中继光路直接投射光场，但原子装载与阵列重排仍待解决。

苹果iPhone18Pro搭载的A20Pro芯片采用WMCM封装，DRAM移至侧面以改善散热，支持96-bit位宽LPDDR6内存，NPU面积扩大但封装尺寸不变，强化端侧AI性能。

芯片工艺命名从28纳米起成为数字游戏，3纳米仅是项目名称。实际金属半节距从28纳米到3纳米未变，栅极间距仅缩减3纳米。性能提升依赖FinFET、EUV光刻机及GAA技术，硅基芯片已接近物理极限。

高通下一代旗舰芯片路线图曝光，含3nm/2nm，目标2026-2027年安卓旗舰。2nmSM8975采用2+3+3核A850GPU，定位最强2nm，成本高仅限Ultra。SM8950主打性能功耗平衡。

IBM推出全球首款0.7nm芯片技术，采用纳米堆叠架构，集成近1000亿颗晶体管，性能提升50%，能效比提升70%，SRAM容量降低40%，实验验证可行，预计未来五年内量产。

中科海光C86-5G曝光，拥有128核512线程，支持SMT4与16通道DDR5内存，对标英特尔至强和AMDEPYC高端产品。IPC较上一代提升超17%，支持PCIe5.0和CXL2.0，面向高并发云计算、大数据等场景，国产服务器芯片迈出正面突围关键一步。