报告称中韩 NAND 技术差距缩短至 2 年

苹果与铠侠签署为期3-5年的NAND闪存长期供应协议，且可能不设价格上限。此举旨在应对AI数据中心需求激增导致的芯片供应紧张，从单纯压价转向确保稳定供货。

铠侠预测NAND闪存市场已进入由AI推理需求和供给约束驱动的超级周期，至少持续至2028年。AI推理需求年复合增速达46%，供给因优先生产HBM而受限。铠侠采取保守扩产、锁定长期协议策略，目标将数据中心营收占比提升至60%以上。

盾安环境旗下中央空调产品专为半导体洁净室设计，具备高效灭菌、深度净化、低阻节能等核心优势，已成功应用于中芯国际、长江存储、长电科技等多家头部半导体企业，在车规芯片封测及第三代半导体制造等领域发挥关键作用。

和远气体回应称，目前与长江存储、武汉新芯无直接供气合作。电子特气业务方面，高纯硅烷和高纯氨已批量出货，但高纯硅烷和六氟化钨未获半导体客户认证，暂无销售；三氟化氮处于试生产阶段，扩建项目刚启动环评安评。

铠侠与闪迪联合推出第十代332层QLCNAND闪存，位密度达37Gb/mm²，较第八代提升60%，采用CBA技术，接口速率4.8Gb/s，为业界首款，显著提升存储密度与性能，适用于AI、数据中心等高需求场景。

三星V10NAND已量产，助力英伟达AI服务器突破键值缓存瓶颈，但约60%产能集中于AI领域，可能引发其他行业及消费者存储供应短缺。三星预计2026年利润大幅增长，同时研发V11技术，但普通市场能否受益仍不确定。

2026年NAND闪存市场供需缺口达4%至5%，受人工智能需求爆发式增长推动，服务器出货量显著增长，但智能手机与笔记本电脑市场需求持续低迷。供应紧张局面预计在2027年下半年得到缓解，届时供需位元差有望转为正值。

英伟达CMX驱动NAND需求爆发，明年预计超1亿TB。三星已量产V10并供货，同时将60%V9产能用于CMX。三星与英伟达合作深化，李在镕与黄仁勋将会面，讨论HBM、NAND及数据中心建设。供给集中或推高存储价格。

忆联发布UH812c和UH832c两款PCIeGen5企业级固态硬盘，采用先进的3DeTLC闪存及自研主控芯片。顺序写入速度高达14.9GB/s，顺序读取速度达12GB/s，随机读写性能较前代显著提升，性能强劲，支持U.2和E3.S两种规格，最大容量可达16TB，功耗控制非常出色。

三星与英伟达合作扩展至NAND领域，英伟达为AI服务器研发上下文存储方案，需大量SSD。三星正加速第10代V-NAND量产，第11代已启动试产，层数最高达500层。