15家车企掀起涨价潮 最高涨幅达2万：碳酸锂、芯片价格暴涨所致
第二季度国内新能源汽车市场掀起涨价潮，至少15家主流品牌参与。特斯拉、小米等品牌部分车型涨幅显著，最高达2万元。涨价主要源于核心原材料成本飙升，其中碳酸锂价格同比涨幅超250%，车规级芯片价格近期也大幅上涨。双重成本压力下，车企难以内部消化，最终选择调整终端售价。
进入第二季度，国内新能源汽车市场掀起了一轮声势浩大的涨价潮。无论是传统巨头还是新势力品牌，都纷纷调整了旗下产品的价格策略，这背后的推手，正是持续攀升的核心原材料成本。
据行业不完全统计，截至5月中旬，已有包括比亚迪、特斯拉、小米、蔚来、小鹏、极氪、星途在内的至少15家主流汽车品牌采取了行动。有的直接发布官方调价公告，有的则通过收紧终端优惠的方式变相提价。其中，小米SU7全系价格上涨4000元，而特斯拉Model Y的长续航版和高性能版，调价幅度更是分别达到了1.8万元和2万元。
双重成本压力：电池与芯片的“双杀”
这场集体涨价的根源非常清晰，就是车企难以承受的原材料成本压力。动力电池作为新能源汽车的“心脏”，其成本通常占到整车成本的30%至60%，而碳酸锂则是制造电池不可或缺的核心原料。
目前，碳酸锂的市场价格与去年同期相比，涨幅已超过250%，并且上涨势头未见减弱。与此同时，钴、镍、铜等其他电池所需金属材料的价格也水涨船高，共同推高了整车的物料成本。
雪上加霜的是，车规级芯片的供应紧张和价格暴涨，给车企带来了另一重打击。全球半导体产能正大规模向AI算力产业倾斜，这直接导致车规级芯片的供货周期被大幅拉长，采购价格随之飙升。公开数据显示，仅最近三个月，车规级存储芯片的整体价格涨幅就高达约180%。
当上游电池材料和关键芯片的双重成本压力同时释放，车企单靠内部的精益管理和效率提升，已经很难完全消化这部分新增成本。最终，将部分压力传导至终端市场，便成了不得已而为之的选择。
英伟达发布定制HBM技术NVHBM，通过集成内存控制器至HBM基础裸片，实现带宽较HBM4E提升30%、功耗降低15%，并释放主芯片25%空间。亚马逊Annapurna Labs为首个合作伙伴，该技术旨在通过标准化方案加速定制AI芯片开发，而非取代通用HBM。
美股芯片股盘前全线走强，美光科技涨近5%，阿斯麦涨4.5%，迈威尔科技涨4%，英特尔涨3.5%，台积电涨约2%。在震荡市场中，芯片板块表现亮眼，主要受人工智能需求及行业前景提振。
美股芯片板块全线拉升，费城半导体指数涨超5%。特朗普宣布苹果、英伟达同意与英特尔合作，马斯克同意建造全球最大芯片工厂，带动英特尔盘中大涨近12%。多只芯片股涨幅超6%，存储板块亦集体走高。
璇相科技发布百万级超表面光镊阵列芯片，联合中器无量在中性原子平台完成系统适配与光场验证。芯片约4毫米直径工作区域生成百万级光镊位点，为公开最大规模。超表面无需中继光路直接投射光场，但原子装载与阵列重排仍待解决。
苹果iPhone18Pro搭载的A20Pro芯片采用WMCM封装，DRAM移至侧面以改善散热，支持96-bit位宽LPDDR6内存，NPU面积扩大但封装尺寸不变，强化端侧AI性能。
芯片工艺命名从28纳米起成为数字游戏，3纳米仅是项目名称。实际金属半节距从28纳米到3纳米未变，栅极间距仅缩减3纳米。性能提升依赖FinFET、EUV光刻机及GAA技术，硅基芯片已接近物理极限。
高通下一代旗舰芯片路线图曝光，含3nm/2nm，目标2026-2027年安卓旗舰。2nmSM8975采用2+3+3核A850GPU，定位最强2nm，成本高仅限Ultra。SM8950主打性能功耗平衡。
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中科海光C86-5G曝光，拥有128核512线程，支持SMT4与16通道DDR5内存，对标英特尔至强和AMDEPYC高端产品。IPC较上一代提升超17%，支持PCIe5.0和CXL2.0，面向高并发云计算、大数据等场景，国产服务器芯片迈出正面突围关键一步。
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