全球首颗软件定义近存计算3D芯片在上海发布
全球首颗软件定义近存计算3D芯片DF1000在上海发布，采用“软件定义+3D堆叠近存计算”架构，破解工艺制程受限、存储墙及架构灵活性三大瓶颈，在14nm工艺下实现520TFLOPS@BF16算力，为国产芯片提供务实路径。
13日下午，东方算芯正式推出了自家首颗旗舰芯片——DF1000。这颗芯片有点特殊：它是全球首颗软件定义近存计算3D芯片，核心思路是用“软件定义＋3D堆叠近存计算”这套东方范式，来破解中国高端算力芯片长期面临的三大瓶颈。
说到这三大瓶颈，其实业内都清楚：工艺制程受限、存储墙问题、以及架构灵活性不足。而DF1000的解法，是从底层计算架构开始做源头创新。东方算芯副总裁郭炜在发布会上提到，通过软件定义芯片技术实现软硬件解耦与动态重构，即使在14nm工艺节点下，DF1000依然能实现520TFLOPS@BF16的算力——这个数字放在同类产品里，相当能打。
值得注意的是，DF1000并没有盲目追求先进制程，而是用架构创新换性能。这种“不堆制程堆架构”的思路，或许为国产芯片提供了一条务实路径。
英伟达发布定制HBM技术NVHBM，通过集成内存控制器至HBM基础裸片，实现带宽较HBM4E提升30%、功耗降低15%，并释放主芯片25%空间。亚马逊Annapurna Labs为首个合作伙伴，该技术旨在通过标准化方案加速定制AI芯片开发，而非取代通用HBM。
美股芯片股盘前全线走强，美光科技涨近5%，阿斯麦涨4.5%，迈威尔科技涨4%，英特尔涨3.5%，台积电涨约2%。在震荡市场中，芯片板块表现亮眼，主要受人工智能需求及行业前景提振。
美股芯片板块全线拉升，费城半导体指数涨超5%。特朗普宣布苹果、英伟达同意与英特尔合作，马斯克同意建造全球最大芯片工厂，带动英特尔盘中大涨近12%。多只芯片股涨幅超6%，存储板块亦集体走高。
璇相科技发布百万级超表面光镊阵列芯片，联合中器无量在中性原子平台完成系统适配与光场验证。芯片约4毫米直径工作区域生成百万级光镊位点，为公开最大规模。超表面无需中继光路直接投射光场，但原子装载与阵列重排仍待解决。
苹果iPhone18Pro搭载的A20Pro芯片采用WMCM封装，DRAM移至侧面以改善散热，支持96-bit位宽LPDDR6内存，NPU面积扩大但封装尺寸不变，强化端侧AI性能。
芯片工艺命名从28纳米起成为数字游戏，3纳米仅是项目名称。实际金属半节距从28纳米到3纳米未变，栅极间距仅缩减3纳米。性能提升依赖FinFET、EUV光刻机及GAA技术，硅基芯片已接近物理极限。
高通下一代旗舰芯片路线图曝光，含3nm/2nm，目标2026-2027年安卓旗舰。2nmSM8975采用2+3+3核A850GPU，定位最强2nm，成本高仅限Ultra。SM8950主打性能功耗平衡。
IBM推出全球首款0.7nm芯片技术，采用纳米堆叠架构，集成近1000亿颗晶体管，性能提升50%，能效比提升70%，SRAM容量降低40%，实验验证可行，预计未来五年内量产。
中科海光C86-5G曝光，拥有128核512线程，支持SMT4与16通道DDR5内存，对标英特尔至强和AMDEPYC高端产品。IPC较上一代提升超17%，支持PCIe5.0和CXL2.0，面向高并发云计算、大数据等场景，国产服务器芯片迈出正面突围关键一步。
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