预计 2024 年HBM产值占比将增长至20.1%，产能同比增长260%
本站3月19日消息，集邦咨询昨日发布报告，预估到2024年年底在DRAM产业规划中，生产HBMTSV的产能约为250K/m，占总DRAM产能（约1800K/m）约14%，产能同比增长260%。集邦咨询预估2023年HBM产值在DRAM整体产业中的占比约8.4%，到2024年底将扩大至20.1%。集邦咨询表示HBM和DDR5在生产方面差异主要体现在DieSize上，在相同制程和相同容量（例如24Gb）情况下，HBM的Die尺寸比DDR5大35～45%，但良率要比DDR5低约20～30%、生产周期（包含TSV
本站 3 月 19 日消息，集邦咨询昨日发布报告，预估到 2024 年年底在 DRAM 产业规划中，生产 HBM TSV 的产能约为 250K / m，占总 DRAM 产能（约 1800K / m）约 14%，产能同比增长 260%。
集邦咨询预估 2023 年 HBM 产值在 DRAM 整体产业中的占比约 8.4%，到 2024 年底将扩大至 20.1%。
集邦咨询表示 HBM 和 DDR5 在生产方面差异主要体现在 Die Size 上，在相同制程和相同容量（例如 24Gb）情况下，HBM 的 Die 尺寸比 DDR5 大 35～45%，但良率要比 DDR5 低约 20～30%、生产周期（包含 TSV）较 DDR5 多 1.5~2 个月不等。
HBM 生产周期较 DDR5 更长，从投片到产出与封装完成需要两个季度以上。因此，急欲取得充足供货的买家需要更早锁定订单量。
据 TrendForce 集邦咨询了解，大部分针对 2024 年度的订单都已经递交给供应商，除非有验证无法通过的情况，否则目前来看这些订单量均无法取消（non-cancellable）。
集邦咨询观察，以 HBM 产能来看，三星、SK 海力士（SK hynix）至今年底的 HBM 产能规划最积极，三星 HBM 总产能至年底将达约 130K（含 TSV）；SK 海力士约 120K，但产能会依据验证进度与客户订单持续而有变化。本站附上截图如下：
另以现阶段主流产品 HBM3 产品市占率来看，目前 SK 海力士于 HBM3 市场比重逾 9 成，而三星将随着后续数个季度 AMD MI300 逐季放量持续紧追。
苹果因存储芯片价格飙升，计划从长鑫采购DRAM以稳定供应而非降低成本，并正游说美国政府放宽管制。此举旨在应对2027年供应缺口，避免A20芯片采购量下降。
海康存储即将推出C5000ECO固态硬盘，采用M.22280外形及PCIeGen5×4接口，支持NVMe协议，基于3DTLCNAND闪存和无DRAM缓存设计，顺序读取速度高达11900MB/s，提供2TB等多种容量，主打高性价比，具备低功耗、高带宽特点，适用于高性能计算与游戏等场景。
三星即将推出新款PCIe4.0NVMeM.2固态硬盘990，采用无DRAM设计并借助主机内存缓冲技术。提供1TB与2TB两款容量，其中1TB版本顺序读取速度高达7150MB/s，顺序写入速度6450MB/s，质保写入量达400TBW。产品定位务实，性能表现出色，非常适合日常使用。
苹果正测试长鑫存储DRAM芯片用于在华销售设备，此前已游说美国政府争取采购许可。此举旨在增强供应链韧性，降低对单一供应商依赖，提升抵御市场波动与地缘风险的能力。
数据显示，2026年第二季度DRAM市场格局中，三星电子以39%份额继续领跑，环比提升1个百分点；SK海力士下滑至26%，美光占比25%。国内长鑫存储以7%份额成为增长最快供应商，营收同比增长716%，有望冲击全球前三位置。
三星电子在2026年第二季度以39%的DRAM市场份额重回全球第一，终结了SK海力士的压制。美光科技以25%的份额紧追26%的SK海力士。三星受益于通用DRAM涨价及HBM业务扩张；SK海力士因HBM均价下滑和长期供货协议锁价导致份额下降。AI需求推动HBM4即将放量，竞争格局持续演变。
8 月 6 日消息，诺基亚今年 7 月发布 2026 年第二季度及上半年业绩报告，宣布持续拓展其长期光器件制造计划。美国圣何塞的新工厂建设正稳步推进，量产节点锁定在 2026 年第四季度末。与此同时，诺基亚在 2026 年第二季度敲定了宾夕法尼亚州工厂的投资计划，目标是将先进测试与封装产能从 202
长鑫科技登陆科创板，首日市值超3万亿元，成为A股市值第一。2026年一季度归母净利润达247.62亿元，接近弥补历史亏损的三分之二。扩产有望增加通用DRAM供给，但短期内难以压降全球内存价格；HBM领域仍难撼动三巨头地位。在三星、SK海力士和美光主导的牌桌上，长鑫能否坐稳需经完整周期验证。
7月29日，Counterpoint一份行业分析报告让不少手机厂商倒吸一口凉气——2026年第二季度，智能手机内存价格环比涨幅超过80%。存储这一波涨价，可以说彻底改写了手机整机的物料成本结构。从入门到旗舰，各档位机型的生产成本全线飘红，行业的盈利压力正在持续加剧。具体来看，对比2025年同规格机型
据韩媒ZDNET Korea报道，近期三星晶圆代工部门收到了大量关于3D IC解决方案的咨询——这一趋势，正在成为芯片设计行业的新焦点。所谓3D IC，就是将逻辑芯片和存储芯片垂直集成在一起，实现更紧密的互联。大家知道，HBM通过大量I/O和DRAM Die堆叠，带来了传统内存难以企及的海量带宽。但
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