消息称铠侠计划2027年量产BiCS10(332层)3D NAND闪存
关于铠侠下一代闪存技术的量产时间,最近有了新的说法。根据韩媒ZDNET Korea的报道,业内消息人士透露,铠侠计划将第十代BiCS FLASH(即BiCS10)的量产时间点定在2027年。具体的投资细节,预计要到2026年下半年才会变得更加清晰。这个时间表,比之前传闻的2026年量产要稍晚一些。
关于铠侠下一代闪存技术的量产时间,最近有了新的说法。根据韩媒ZDNET Korea的报道,业内消息人士透露,铠侠计划将第十代BiCS FLASH(即BiCS10)的量产时间点定在2027年。具体的投资细节,预计要到2026年下半年才会变得更加清晰。这个时间表,比之前传闻的2026年量产要稍晚一些。

铠侠的技术路线图一直备受关注。从BiCS8这一代开始,他们引入了一项关键架构——CBA(CMOS直接键合到存储阵列)。简单来说,这个技术把NAND闪存中的存储单元和外围电路的制造过程给“解耦”了,允许分别进行优化。基于这一思路,结合现有存储单元技术和最新CMOS工艺的BiCS9产品,已经在去年向客户提供了样品。

那么,接下来的BiCS10又有哪些看点?核心突破在于堆叠层数。据悉,BiCS10将存储单元的堆叠层数大幅提升至332层,这显然是冲着满足未来市场对更大容量、更高性能存储解决方案的迫切需求去的。性能参数上,它将支持4.8Gbps的I/O接口速率。更关键的是,其位密度相比目前的BiCS8产品提升了59%,这意味着在单位面积内能塞进更多数据,是降低成本、提升竞争力的关键一步。
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