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铠侠计划2026年夏天出样下代BiCS10 1Tb TLC NAND闪存

  发布于2026-06-03 阅读(0)

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先说几个核心判断:铠侠在昨天公布的投资者日细节中,展示了其对于NAND市场走势的清晰预判,以及下一代产品的技术取舍。

今年夏天,铠侠将正式出样BiCS10 1Tb TLC NAND闪存——这款产品将随新一代PCIe Gen6企业级CM系列固态硬盘共同登场。

BiCS10选择332层堆叠,这个数字在当下并不算最“卷”的那一批。但铠侠明确表示,堆叠高度已不再是成本降低的万能钥匙。更高的层数意味着工艺复杂度飙升、制造投入激增,还会拖累能效和可靠性。说得更直白一点:堆得高,未必划算。

按照铠侠的推算,与可能的400层方案相比,332L BiCS10实现了10%的成本下降、10%的能效提升,以及35%的可靠性优势。这个取舍背后,是对成本、性能、良率三者平衡的精细考量。


在市场层面,铠侠预测2026-2028年NAND总出货量CAGR为22%。其中,数据中心领域将达46%,AI推理更是一马当先,增速预计在86%。而PC、智能手机的需求则基本持平,甚至小幅下行。需求结构正在发生根本性转变,存储厂商若不能跟上数据中心和AI的节奏,未来处境会很被动。

更值得注意的,是铠侠对供需的判断:当前是NAND市场供需失衡最严重的时刻,未来会逐步改善,但到2027年底之前,供小于求的基本面不会轻易翻转。换句话说,短期内市场还会承压,但长期利好正在酝酿。

在这样的大背景下,铠侠正在集中火力主攻数据中心与企业级业务,目标是让这一块贡献公司营收的60%以上,靠高附加值产品拉动利润增长。与此同时,PC和智能手机的收入规模则追求稳定——不求猛涨,但求不拖后腿。

财务投入方面,铠侠2026-2028财年的资本支出和研发投入,均将比2025财年增长超过60%。企业也在加速推动制程进步,目标实现每年约10%的前端单位容量成本下降。这笔重注,投的是未来三到五年的技术制高点。

此外,铠侠确认正在评估北上市生产基地的进一步扩建,目标在2029财年后投入生产。这一动作,显然是冲着更长期的需求增长在做产能储备。

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