三星加速冲刺1000层NAND闪存:采用CMB混合键合技术,将两个450层模块堆叠为900层
作者:吹吹风会发光
时间:2026-05-28
来源:互联网
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三星率先量产3D NAND的故事,得从2013年说起。那一年,它们推出了首款V-NAND,一举领先同行。从24层起步,一路走到如今第9代产品量产时的290层,积累的经验可以说相当深厚。现在AI浪潮汹涌,市场不仅需要HBM这类高带宽存储器,对更高层数的NAND闪存需求也在同步攀升。此前有消息称,到20
三星率先量产3D NAND的故事,得从2013年说起。那一年,它们推出了首款V-NAND,一举领先同行。从24层起步,一路走到如今第9代产品量产时的290层,积累的经验可以说相当深厚。现在AI浪潮汹涌,市场不仅需要HBM这类高带宽存储器,对更高层数的NAND闪存需求也在同步攀升。此前有消息称,到2030年,三星要把V-NAND的层数推高到1000层。
据TECHPOWERUP报道,三星正稳步朝着这个目标前进,但制造复杂性摆在那里,单靠一颗芯片已经不可能了。因此,三星转而押注先进封装方案——CMB(Cell Multi-Bonding)技术,这是一种通过混合键合实现的晶圆堆叠变体。具体做法是把两个450层的V-NAND模块堆叠成一个NAND闪存,总层数直接拉到了900层。原型样品已经通过了验证。
去年,三星在ISSCC 2025上展示了第10代V-NAND闪存,总层数超过400层。这一代不仅刷新了有源层数记录,性能也有突破性提升,最关键的是首次把COP(Cell-on-Periphery)结构与混合键合技术结合在了一起。换句话说,新产品的主要目标除了创纪录的有源层数之外,重点就在于COP结构和混合键合的融合。
目前量产NAND闪存最高层数的保持者是SK海力士,凭借的是321层4D NAND设计。三星计划实现第10代V-NAND闪存的量产,不过还需要几个季度的时间。据了解,三星的目标是在2027年推出第11代V-NAND技术,届时数据传输速度将提高50%。
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据TECHPOWERUP报道,三星正稳步朝着这个目标前进,但制造复杂性摆在那里,单靠一颗芯片已经不可能了。因此,三星转而押注先进封装方案——CMB(Cell Multi-Bonding)技术,这是一种通过混合键合实现的晶圆堆叠变体。具体做法是把两个450层的V-NAND模块堆叠成一个NAND闪存,总层数直接拉到了900层。原型样品已经通过了验证。
去年,三星在ISSCC 2025上展示了第10代V-NAND闪存,总层数超过400层。这一代不仅刷新了有源层数记录,性能也有突破性提升,最关键的是首次把COP(Cell-on-Periphery)结构与混合键合技术结合在了一起。换句话说,新产品的主要目标除了创纪录的有源层数之外,重点就在于COP结构和混合键合的融合。
目前量产NAND闪存最高层数的保持者是SK海力士,凭借的是321层4D NAND设计。三星计划实现第10代V-NAND闪存的量产,不过还需要几个季度的时间。据了解,三星的目标是在2027年推出第11代V-NAND技术,届时数据传输速度将提高50%。
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