TrendForce预测：NAND闪存紧缺压力有望2027H2缓解

闪迪推动HBF技术开发，新专利将计算芯片直接堆叠于NAND闪存上方，并与HBM共封装于同一中介层。该设计旨在突破容量瓶颈，使HBM承担高速内存操作，NAND闪存负责数据存储，实现分工协同。

SK海力士规划在2026年下半年重启大连二厂扩建，旨在生产先进的238层NAND闪存，月产能目标设定为3万至5万片晶圆，整个建设周期预计持续至2027年上半年。与此同时，大连一厂将转产192层NAND。此外，该公司在韩国本土也计划新建生产线，并且无锡工厂的DRAM产能也在逐步提升。

铠侠与闪迪联合发布第十代332层QLCNAND闪存，位密度达37Gb/mm²，较上代提升60%。采用自研CMOS直接键合阵列技术，接口速率4.8Gb/s，为业界首款，显著提升存储性能与能效，适用于AI与数据中心。

根据TrendForce报告，NAND闪存短缺问题预计2027年彻底解决。2026年供应缺口维持4%至6%，2027年下半年供需有望回归平衡。上游厂商扩产及终端需求疲软是主因，企业级服务器与消费电子各占约40%产出。中国NAND闪存产出份额接近19%。

SK海力士计划2026年底前量产已验证的375层3DNAND闪存，并改用钼材料替代钨，以突破高层数堆叠带来的电阻和信号完整性瓶颈，助力后续向480层、604层演进。该技术突破将显著提升存储密度与性能，推动NAND闪存迭代，满足未来高带宽需求。

先说几个核心判断：铠侠在昨天公布的投资者日细节中，展示了其对于NAND市场走势的清晰预判，以及下一代产品的技术取舍。 今年夏天，铠侠将正式出样BiCS10 1Tb TLC NAND闪存——这款产品将随新一代PCIe Gen6企业级CM系列固态硬盘共同登场。 BiCS10选择332层堆叠，这个数字在当

全球存储厂商正将产能重心转向HBM和3DNAND，导致传统2D及MLCNAND供应急剧收紧。三星已关停其主要2DNAND产线，其他厂商也无扩产计划，预计2026年MLC产能将骤降超40%。由于其在工业等领域的不可替代性，MLC现货价格已大幅上涨。产业资源正加速流向AI相关产品与先进NAND技术。

三星率先量产3D NAND的故事，得从2013年说起。那一年，它们推出了首款V-NAND，一举领先同行。从24层起步，一路走到如今第9代产品量产时的290层，积累的经验可以说相当深厚。现在AI浪潮汹涌，市场不仅需要HBM这类高带宽存储器，对更高层数的NAND闪存需求也在同步攀升。此前有消息称，到20

最近，闪迪在韩国首尔的一场活动，透露了存储市场的一些关键动向。 在这场发布会上，闪迪韩国负责人分享了一个值得玩味的观察：尽管闪迪自身保持着稳定的供应节奏，但整个市场的供需天平正在倾斜。由于其他一些厂商的产品线逐渐收索，市场上的NAND闪存出现了供应缺口，这直接推动了价格的上涨。面对涨价，消费者的策略

关于铠侠下一代闪存技术的量产时间，最近有了新的说法。根据韩媒ZDNET Korea的报道，业内消息人士透露，铠侠计划将第十代BiCS FLASH（即BiCS10）的量产时间点定在2027年。具体的投资细节，预计要到2026年下半年才会变得更加清晰。这个时间表，比之前传闻的2026年量产要稍晚一些。