消息称铠侠计划 2027 年量产 BiCS10(332 层)3D NAND 闪存
铠侠计划2027年量产第十代BiCS10闪存,堆叠层数达332层,较预期延后。该技术延续CBA架构,通过存储单元与外围电路分开制造再键合优化性能与成本,接口速率提升至4.8Gbps,位密度较BiCS8增加59%,以满足数据中心与高端客户端对存储容量和速度的需求。具体投资与生产细节预计2026年下半年明确。
关于下一代3D NAND闪存的量产时间,最近有了新的风向。根据韩媒ZDNET Korea援引行业内部消息的报道,铠侠(KIOXIA)将其第十代BiCS FLASH(BiCS10)的量产目标时间点,设定在了2027年。这意味着,相比之前市场上流传的2026年量产计划,进度有所延后。至于具体的投资和生产细节,预计要到2026年下半年才会变得更加清晰。

铠侠的技术路线图其实很有章法。从第八代BiCS8开始,他们引入了一项关键架构——CBA(CMOS直接键合至阵列)。这个技术的妙处在于,它将NAND闪存中的存储单元和外围逻辑电路制造过程分离开了。简单来说,存储单元和负责控制、接口的电路可以分别采用最适合的工艺进行优化制造,然后再像搭积木一样精准地键合在一起。这为后续提升性能、降低成本打开了新空间。
基于这套解耦思路,铠侠已经推出了BiCS9样品,它结合了成熟的存储单元技术和更先进的外围CMOS工艺。而接下来的重头戏BiCS10,则将在堆叠层数上实现一次大跨越,达到332层。堆得更高,自然是为了在单位面积内塞进更多数据,从而满足未来数据中心、高端客户端对存储容量和性能越来越“贪婪”的需求。
除了层数,BiCS10的接口速率也将提升至4.8Gbps,数据传输更快。综合来看,其位密度相比目前的BiCS8产品预计能提升59%。这可不是个小数字,它直接关系到未来固态硬盘的容量上限和每比特成本。当然,从样品到大规模量产,中间还有漫长的工艺磨合、良率提升和产能爬坡之路要走,2027年这个时间点,也给了市场一个更现实的预期。
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